Товары из категории модули igbt - страница 29

Производитель
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FFY120C5S
15 136.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50FFY120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусL2.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FSX65L2S
7 336.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50FSX65L2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 50А; L2.1" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусL3.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FSY120L3S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50FSY120L3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1200В; Ic: 50А; L3.2" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50HFU120C1S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50HFU120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50HFX170C1S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50HFX170C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50HFX65C1S
7 718.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50HHU120C5S
15 457.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50HHU120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50PIX65C5S
14 814.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50PIX65C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50PIY120C5SN
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50PIY120C5SN, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50PIY120C6SN
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50PIY120C6SN, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50PJX65L3S
10 645.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50PJX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD600HFX170C6S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD600HFX170C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD600HFX65C2S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD600HFX65C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD600HFX65C6S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD600HFX65C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD600HFY120C2S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD600HFY120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD600HFY120C6S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD600HFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусP1.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD600HFY120P1S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD600HFY120P1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD600SGU120C2S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD600SGU120C2S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD600SGX170C2S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD600SGX170C2S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD600SGY120C2S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD600SGY120C2S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж