Товары из категории модули igbt, стр.30

Производитель

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SK120GAL12F4T
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 120 GAL 12F4T 24922420
24 866.40 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 120 GAL 12F4T 24922420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK150DBB07F3TD1P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4-P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 150 DBB 07F3 TD1P 24920301
76 246.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 150 DBB 07F3 TD1P 24920301, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x4,термистор NTC" 1.

0.0
SK25GB12T4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 25 GB 12T4 24914890
6 071.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 25 GB 12T4 24914890, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK25GD12T4ETP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3-P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 25 GD 12T4 ETP 24919631
28 523.32 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 25 GD 12T4 ETP 24919631, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А; винтами" 1.

0.0
SK30GD066ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 30 GD 066 ET 24914960
23 038.74 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 30 GD 066 ET 24914960, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 30А; SEMITOP3" 1.

0.0
SK35GAL12T4
ВерсияT2 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
4 113.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 35 GAL 12T4 24915850, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А" 1.

0.0
SK35GB12T4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 35 GB 12T4 24914900
6 948.62 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 35 GB 12T4 24914900, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK35GD126ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 35 GD 126 ET 24910230
39 494.07 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 35 GD 126 ET 24910230, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А; винтами" 1.

0.0
SK35GD12T4ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 35 GD 12T4 ET 24914860
33 826.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 35 GD 12T4 ET 24914860, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А; винтами" 1.

0.0
SK50GB12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GB 12T4 T 24914910
21 209.49 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 50 GB 12T4 T 24914910, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK50GBB066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GBB 066 T 24914750
28 706.72 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 50 GBB 066 T 24914750, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 50А" 1.

0.0
SK50GD066ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GD 066 ET 24912720
33 460.87 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 50 GD 066 ET 24912720, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 50А; SEMITOP3" 1.

0.0
SK50GD12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GD 12T4 T 24914940
22 306.72 
Доступность: 8 шт.
+

Минимальное количество для товара "SK 50 GD 12T4 T 24914940, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 60А" 1.

0.0
SK50GH12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 GH 12T4 T 24915220
50 099.60 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 50 GH 12T4 T 24915220, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC" 1.

0.0
SK50MLI066
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 50 MLI 066 24914390
26 147.04 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 50 MLI 066 24914390, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SK55DGL126
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 55 DGL 126 24910820
14 850.59 
Доступность: 6 шт.
+

Минимальное количество для товара "SK 55 DGL 126 24910820, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 55А" 1.

0.0
SK60GAL125
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 60 GAL 125 24912560
29 255.34 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 60 GAL 125 24912560, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

0.0
SK60GB125
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 60 GB 125 2491077024910770
17 095.65 
Доступность: 9 шт.
+

Минимальное количество для товара "SK 60 GB 125 2491077024910770, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK75GAL12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GAL 12T4 24915290
5 924.11 
Доступность: 13 шт.
+

Минимальное количество для товара "SK 75 GAL 12T4 24915290, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

0.0
SK75GAR12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GAR 12T4 24915300
18 265.61 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 75 GAR 12T4 24915300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

0.0
SK75GB066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GB 066 T 24914980
21 209.49 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 75 GB 066 T 24914980, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
SK75GB12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GB 12T4 T 24914920
21 019.76 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 75 GB 12T4 T 24914920, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK75GBB066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GBB 066 T 24914760
36 934.39 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 75 GBB 066 T 24914760, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 75А" 1.

0.0
SK75GD066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 75 GD 066 T 24912420
64 543.87 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 75 GD 066 T 24912420, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (18)
Хиты продаж