Товары из категории модули igbt - страница 30

Производитель
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусP1.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD650HFX170P1S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD650HFX170P1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75FFX170C6S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD75FFX170C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75FFX65C5S
14 655.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD75FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75FFY120C5S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD75FFY120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75FFY120C6S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD75FFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусL3.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75FSY120L3S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD75FSY120L3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1200В; Ic: 75А; L3.2" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HFU120C1S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD75HFU120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HFX170C1S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD75HFX170C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HFX65C1S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD75HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HFY120C1S
8 600.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD75HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HHU120C5S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD75HHU120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 75А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75MLX65L3S
10 845.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD75MLX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75PIX65C6S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD75PIX65C6S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 75А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75PIY120C6SN
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD75PIY120C6SN, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 75А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC3 130mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD800HFX170C3S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD800HFX170C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC3 130mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD800HFY120C3S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD800HFY120C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

Конструкция диодаобщий вход, транзистор/транзистор КорпусC3 130mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD800SGX170C3S
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD800SGX170C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; IGBT x2; Ic: 800А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусF1.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD80TLQ120F1S
8 098.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD80TLQ120F1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 25.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусP1.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD900HFY120P1S
54 327.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD900HFY120P1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 9.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM100D12V1
9 183.49 
Доступность: 18 шт.
 

Минимальное количество для товара "HFGM100D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж