Товары из категории модули igbt - страница 23

Производитель
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG180W1200TEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
50 180.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG180W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 195А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack PFP Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG240RF1200PTED Обратное напряжение макс.1,2кВ
14 424.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG240RF1200PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; X2PT" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG240W1200PTEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
58 957.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG240W1200PTEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 233А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG240W1200PZTEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
62 964.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG240W1200PZTEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG240W1200TEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
58 957.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG240W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 233А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG300PF1700TSF Обратное напряжение макс.1,7кВ
48 464.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG300PF1700TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG330PF1200PTSF Обратное напряжение макс.1,2кВ
41 022.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG330PF1200PTSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG330PF1200TSF Обратное напряжение макс.1,2кВ
41 022.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG330PF1200TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG450PF1700TSF Обратное напряжение макс.1,7кВ
58 195.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG450PF1700TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG490PF1200PTSF Обратное напряжение макс.1,2кВ
54 569.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG490PF1200PTSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG490PF1200TSF Обратное напряжение макс.1,2кВ
50 563.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG490PF1200TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG70W1200TED Обратное напряжение макс.1,2кВ
26 903.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG70W1200TED, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 79А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMKI100-12F8
43 122.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MKI100-12F8, Модуль: IGBT; диод/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 125А; 640Вт" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMKI50-06A7
10 818.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MKI50-06A7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; 225Вт" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMKI50-06A7T
8 108.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MKI50-06A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 600В; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMKI50-12F7
26 141.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MKI50-12F7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 45А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMKI65-06A7T Обратное напряжение макс.0,6кВ
14 195.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MKI65-06A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; NPT" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMKI75-06A7
11 943.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MKI75-06A7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; 280Вт" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMKI75-06A7T
12 630.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MKI75-06A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 600В; Ic: 60А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Обозначение производителяMSCGL40X120T3AG Обратное напряжение макс.1,2кВ
24 153.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MSCGL40X120T3AG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 40А" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж