Товары из категории модули igbt - страница 23

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-EASY1B-2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFP25R12W1T7B11BPSA1
7 340.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FP25R12W1T7B11BPSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-ECONO2C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFP30R06KE3BPSA1
10 892.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FP30R06KE3BPSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 600В; Ic: 30А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-ECONO2-5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFP40R12KT3BOSA1
30 471.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FP40R12KT3BOSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-EASY2B-2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFP50R06W2E3B11BOMA1
13 270.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FP50R06W2E3B11BOMA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 600В; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-ECONO3-3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFP50R12KT3BOSA1
19 646.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FP50R12KT3BOSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-ECONO3-3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFP75R12KT4
50 318.81 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "FP75R12KT4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-EASY2B-2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS100R12W2T7B11BOMA1
12 340.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FS100R12W2T7B11BOMA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-EASY750-1 Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS10R12VT3BOMA1 Обратное напряжение макс.1,2кВ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FS10R12VT3BOMA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 10А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONO3-4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS150R12KT4BOSA1
37 207.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FS150R12KT4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONO4-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS150R17PE4BOSA1
59 539.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FS150R17PE4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-EASY750-1 Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS15R12VT3BOMA1 Обратное напряжение макс.1,2кВ
4 630.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FS15R12VT3BOMA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 15А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONO3-4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS200R12KT4RB11BOSA1
87 606.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FS200R12KT4RB11BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONO2B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS50R12KE3BPSA1
19 433.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FS50R12KE3BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; 270Вт" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-EASY2B-2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS75R12W2T4B11BOMA1
9 777.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FS75R12W2T4B11BOMA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 15.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONO3-4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS75R17KE3BOSA1
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FS75R17KE3BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 75А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-HYBRIDD-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS820R08A6P2LBBPSA1
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FS820R08A6P2LBBPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 450А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-IHVB130-3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ1000R33HE3BPSA1
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZ1000R33HE3BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 3,3кВ; Ic: 1кА; винтами" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусAG-IHVB130-3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ1400R33HE4BPSA1
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZ1400R33HE4BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусAG-IHVB190-3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ2000R33HE4BOSA1
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZ2000R33HE4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x3" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ400R12KS4HOSA1
38 892.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZ400R12KS4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; AG-62MM" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж