Товары из категории модули igbt - страница 32

Производитель
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN320N60A3
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXGN320N60A3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 170А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN400N60A3
11 151.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXGN400N60A3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 190А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN400N60B3
8 824.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXGN400N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 200А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN50N120C3H1
8 423.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXGN50N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN72N60C3H1
7 168.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXGN72N60C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 52А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN100N60B3H1
8 105.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXXN100N60B3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN110N65B4H1
4 717.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXXN110N65B4H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN110N65C4H1
3 903.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXXN110N65C4H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B" 300.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN200N60B3
7 607.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXXN200N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 160А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN200N60B3H1
8 681.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXXN200N60B3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN200N60C3H1
7 886.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXXN200N60C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXXN200N65A4
4 423.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXXN200N65A4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 200А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N120B3H1
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN100N120B3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 76А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N120C3
9 629.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN100N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N120C3H1
12 128.44 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXYN100N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 62А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N65A3
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN100N65A3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 100А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N65B3D1
6 431.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN100N65B3D1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 100А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N65C3H1
4 990.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN100N65C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 90А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN120N120C3
7 373.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN120N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 120А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN150N60B3
9 200.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN150N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 140А; SOT227B" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж