Товары из категории модули igbt - страница 50

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL12T4 22892320
32 818.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GAL12T4 22892320, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL12VL2 22895560
19 080.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GAL12VL2 22895560, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL176D 22890514
39 306.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GAL176D 22890514, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL17E4 22895110
24 041.26 
Доступность: 26 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM200GAL17E4 22895110, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

ВерсияD56 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
34 345.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GAR125D 22890565, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 160А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAR12E4 22892420
37 588.15 
Доступность: 8 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM200GAR12E4 22892420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 200А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAR17E4 22895140
28 621.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GAR17E4 22895140, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 248А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GARL066T 21915260
66 972.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GARL066T 21915260, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck-boost chopper,термистор NTC" 1.

ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
57 353.34 
Доступность: 16 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB125D, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GB126D 22890631
46 746.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB126D 22890631, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GB12E422892067
37 129.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB12E422892067, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GB12F4 22896050
45 221.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB12F4 22896050, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
33 199.55 
Доступность: 44 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB12T4 22892060, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
50 563.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB12V 22892064, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GB176D 22890700
34 153.79 
Доступность: 41 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB176D 22890700, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
44 075.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB17E4 22895060, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GBD126D 22891102
31 864.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GBD126D 22891102, Модуль: IGBT; диод/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GM12T4 22892470
42 357.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GM12T4 22892470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200MLI066TAT 21917820
97 309.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200MLI066TAT 21917820, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM25GAH125D 21917990
35 756.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM25GAH125D 21917990, Модуль: IGBT; диод/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж