Товары из категории модули igbt - страница 57

Производитель
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток15А Класс напряжения1,7кВ КорпусSKYPER® МонтажPCB
408 462.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKYPER PRIME O1700V 1400A ST10 L5068112, Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.7kV; 23.3÷24.7VDC; 15A" 1.

Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителяSP6CA1 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014
18 689.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP6CA1, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусISOTOP Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSTGE200NB60S
3 987.25 
Доступность: 3 шт.
 

Минимальное количество для товара "STGE200NB60S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 150А; ISOTOP" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK SMIT Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSTGSH80HB65DAG Обратное напряжение макс.650В
5 667.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "STGSH80HB65DAG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMTP Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-50MT060PHTAPBF
18 164.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-50MT060PHTAPBF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT100DA120UF
10 627.16 
Доступность: 3 шт.
 

Минимальное количество для товара "VS-GT100DA120UF, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; SOT227B" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусINT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT100TS065N
13 721.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT100TS065N, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусINT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT100TS065S
16 193.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT100TS065S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусINT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT150TS065S
19 072.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT150TS065S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT180DA120U
8 516.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT180DA120U, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 185А; SOT227B" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусINT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT200TS065N
18 547.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT200TS065N, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусINT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT200TS065S
23 053.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT200TS065S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусDual INT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT300YH120N
36 633.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT300YH120N, Модуль: IGBT; диод/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; Trench" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусDual INT-A-Pak LP16mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT400TD60S
58 195.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT400TD60S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT80DA120U
8 986.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT80DA120U, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 80А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT90DA120U
9 311.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-GT90DA120U, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 106А; SOT227B" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB116-16NOXT
14 530.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB116-16NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB120-16NOX
11 054.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB120-16NOX, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 140А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB120-16NOXT
19 851.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB120-16NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 140А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB135-22NO1
31 100.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB135-22NO1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 80А" 1.

Показать еще 15 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж