Товары из категории модули igbt - страница 58

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB145-16NOXT
23 371.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB145-16NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 140А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB160-16NOX
15 832.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB160-16NOX, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 175А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB160-16NOXT
16 586.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB160-16NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 175А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB72-12NOXT
9 027.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB72-12NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUB72-16NOXT
9 734.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUB72-16NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUI30-12N1
7 936.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUI30-12N1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-phase PFC; Urmax: 1,2кВ; Ic: 65А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVUI72-16NOXT
9 730.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUI72-16NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусV2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVVZB120-16IOX
22 133.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VVZB120-16IOX, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVVZB135-16IOXT
22 133.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VVZB135-16IOXT, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVVZB170-16IOXT
22 514.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VVZB170-16IOXT, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN50N170CV1
10 275.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN50N170CV1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 50А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN75N65C3D1
5 894.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN75N65C3D1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 75А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN80N90C3H1
8 147.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN80N90C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 70А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN82N120C3
8 414.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN82N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 46А; SOT227B" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN82N120C3H1
8 773.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN82N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 66А; SOT227B" 1.

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж