Товары из категории модули igbt - страница 67

Производитель
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GB12T4 22892070
54 288.99 
Доступность: 9 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM300GB12T4 22892070, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GB12V 22892073
67 019.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GB12V 22892073, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GB17E4 22895070
61 007.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GB17E4 22895070, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
33 599.39 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM300GBD12T4 22892212, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GM12T4 22892480
48 099.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GM12T4 22892480, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300MLI066TAT 21916570
112 643.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300MLI066TAT 21916570, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GA12E4 22892104
40 142.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM400GA12E4 22892104, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; винтами" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GA12T4 22892100
43 854.74 
Доступность: 11 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM400GA12T4 22892100, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; винтами" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GA12V 22892103
45 446.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM400GA12V 22892103, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; винтами" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GAL07E3 22895552
36 781.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM400GAL07E3 22895552, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 400А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GAL125D 22890750
48 805.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM400GAL125D 22890750, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GAL126D 21916030
54 111.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM400GAL126D 21916030, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GAL12E4 22892314
33 422.02 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM400GAL12E4 22892314, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GAL12F4 22896140
44 385.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM400GAL12F4 22896140, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GAL12T4 22892310
42 263.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM400GAL12T4 22892310, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GAL12V 22892313
47 922.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM400GAL12V 22892313, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GAL176D 21915590
64 191.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM400GAL176D 21915590, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS9 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GAL176DL3 21919990
148 894.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM400GAL176DL3 21919990, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GAL17E4 22895120
51 636.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM400GAL17E4 22895120, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GAR07E3 22895554
36 781.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM400GAR07E3 22895554, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 400А" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж