Товары из категории модули igbt - страница 63

Производитель
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM400GD126DM 23916530
199 824.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM400GD126DM 23916530, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM401MLI07E4 23918910
91 954.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM401MLI07E4 23918910, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM401TMLI12E4B 23918950
94 429.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM401TMLI12E4B 23918950, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAL12F4 22896040
12 573.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GAL12F4 22896040, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAL12T422892600
12 000.00 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM100GAL12T422892600, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAL17E4 22895100
11 229.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GAL17E4 22895100, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAR12F4 22896030
12 573.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GAR12F4 22896030, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAR17E4 22895130
14 518.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GAR17E4 22895130, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 100А" 1.

ВерсияD93 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2N Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
25 503.06 
Доступность: 185 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB125DN, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB12F4 22896020
16 374.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB12F4 22896020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB12T422892020
14 241.59 
Доступность: 65 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB12T422892020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB12T4G 22892030
22 458.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB12T4G 22892030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB12V 22892023
17 683.49 
Доступность: 40 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB12V 22892023, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
23 873.09 
Доступность: 52 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB176D 22890855, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB17E4 22895040
19 628.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB17E4 22895040, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM145GAL176D 22890510
19 628.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM145GAL176D 22890510, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
15 703.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM145GB066D22890045, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
23 695.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM145GB176D 22890695, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAL12F4G 22896150
29 001.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM150GAL12F4G 22896150, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAL12T4 22892300
16 285.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM150GAL12T4 22892300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж