Товары из категории полупроводники, стр.1707

Производитель

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

0.0
FZT951QTA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току10...300 МонтажSMD
233.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZT951QTA, Транзистор: PNP; биполярный; 60В; 5А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT951TA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер60В
187.20 
Доступность: 755 шт.
 

Минимальное количество для товара "FZT951TA, Транзистор: PNP; биполярный; 60В; 5А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT953QTA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току15...200 МонтажSMD
190.40 
Доступность: 997 шт.
 

Минимальное количество для товара "FZT953QTA, Транзистор: PNP; биполярный; 100В; 5А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT953TA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току100...300 МонтажSMD
178.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZT953TA, Транзистор: PNP; биполярный; 100В; 5А; 1,6Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT956QTA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току10...300 МонтажSMD
199.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZT956QTA, Транзистор: PNP; биполярный; 200В; 2А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT956TA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер200В
239.20 
Доступность: 326 шт.
 

Минимальное количество для товара "FZT956TA, Транзистор: PNP; биполярный; 200В; 2А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT957TA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току100...300 МонтажSMD
247.20 
Доступность: 22 шт.
 

Минимальное количество для товара "FZT957TA, Транзистор: PNP; биполярный; 300В; 1А; 1,6Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT958TA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току100...300 МонтажSMD
122.40 
Доступность: 954 шт.
 

Минимальное количество для товара "FZT958TA, Транзистор: PNP; биполярный; 400В; 0,5А; 1,6Вт; SOT223" 1.

0.0
FZT968TA
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке1000шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току50...1000 МонтажSMD
193.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZT968TA, Транзистор: PNP; биполярный; 12В; 6А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
GNIMO004-TEC
Обозначение производителяG-NIMO-004 ПроизводительTE Connectivity
753.60 
Доступность: 979 шт.
 

Минимальное количество для товара "G-NIMO-004, IC: датчик температуры" 17.

0.0
GTPCO031-TEC
Обозначение производителяG-TPCO-031 ПроизводительTE Connectivity Тип микросхемыдатчик температуры
939.20 
Доступность: 8317 шт.
 

Минимальное количество для товара "G-TPCO-031, IC: датчик температуры" 15.

0.0
GTPMO022-TEC
Обозначение производителяG-TPMO-022 ПроизводительTE Connectivity
6 372.80 
Доступность: 32 шт.
 

Минимальное количество для товара "G-TPMO-022, IC: датчик температуры" 3.

0.0
GTPMO023-TEC
Обозначение производителяG-TPMO-023 ПроизводительTE Connectivity
12 283.20 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "G-TPMO-023, IC: датчик температуры" 2.

0.0
G2R1000MT17J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-5...20В
1 008.00 
Доступность: 187 шт.
 

Минимальное количество для товара "G2R1000MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7" 1.

0.0
G34304443824-CAR
Обозначение производителяG34304443824 ПроизводительCARLO GAVAZZI
76 963.20 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "G34304443824, G34304443824" 1.

0.0
G3R160MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора28нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 022.40 
Доступность: 845 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R160MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 123Вт" 1.

0.0
G3R160MT17D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора21нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 793.60 
Доступность: 383 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R160MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 175Вт" 1.

0.0
G3R160MT17J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора51нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
2 128.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R160MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 187Вт" 1.

0.0
G3R20MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора219нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
5 760.00 
Доступность: 569 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R20MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт" 1.

0.0
G3R20MT12N
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...15В
8 809.60 
Доступность: 110 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R20MT12N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт" 1.

0.0
G3R20MT17K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора400нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
17 379.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R20MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 88А; Idm: 300А; 809Вт" 1.

0.0
G3R20MT17N
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...15В
18 048.00 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R20MT17N, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 70А; SOT227B; винтами; 523Вт" 1.

0.0
G3R30MT12J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора155нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
3 760.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R30MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 68А; Idm: 200А; 459Вт" 1.

0.0
G3R30MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора155нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 595.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R30MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 63А; Idm: 200А; 400Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (208)
Хиты продаж