G3R160MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 187Вт

G3R160MT17J

Срок поставки 4-6 недель

2 488.10 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
Цена
2 413.27 ₽
2 188.78 ₽
2 037.41 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "G3R160MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 187Вт" 1.

Артикул производителя
G3R160MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
51нC
Код производителя
G3R160MT17J
Корпус
TO263-7
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-5...15В
Напряжение сток-исток
1,7кВ
Полярность
полевой
Производитель
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
187Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,16Ом
Технология
G3R™, SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
15А
Ток стока в импульсном режиме
48А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Описание (g3r160mt17j.pdf, 928 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России