G3R20MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

G3R20MT12K

Срок поставки 4-6 недель

6 734.69 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
120+
240+
Цена
6 472.79 ₽
6 042.52 ₽
5 836.73 ₽
5 612.24 ₽
5 585.88 ₽
Доступность: 487 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R20MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт" 1.

Артикул производителя
G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
219нC
Код производителя
G3R20MT12K
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...15В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Полярность
полевой
Производитель
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
542Вт
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм
Технология
G3R™, SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
90А
Ток стока в импульсном режиме
240А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Описание (g3r20mt12k.pdf, 883 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России