Товары из категории полупроводники, стр.1826

Производитель

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

0.0
IMT18T110
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току270...680 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер12В
65.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMT18T110, Транзистор: PNP x2; биполярный; 12В; 0,5А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMT1AT110
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току120...560 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
41.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMT1AT110, Транзистор: PNP x2; биполярный; 50В; 0,15А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
SEEED-101020080
Вид датчикаIMU 9DOF Диапазон измерения акселерометра±2g, ±4g, ±8g, ±16g Диапазон измерения гироскопа±250°/s, ±500°/s, ±1000°/s, ±2000°/s Информациятовар не являтся готовым устройством, а лишь его компонентом Кол-во каналов9
Свяжитесь с нами насчёт цены
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMU 9DOF V2.0, Датчик: положения; модуль,соединительные провода; Grove; 5ВDC" 1.

0.0
IMW120R014M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...20В
8 582.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R014M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 89,3А; Idm: 267,9А; 227Вт" 1.

0.0
IMW120R020M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...20В
6 131.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R020M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 71А; Idm: 213А; 188Вт" 1.

0.0
IMW120R030M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
3 532.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R030M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 45А; Idm: 150А; 114Вт" 1.

0.0
IMW120R045M1XKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-10...20В
3 883.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R045M1XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 36А; Idm: 130А; 114Вт" 1.

0.0
IMW120R060M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
2 321.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R060M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 26А; Idm: 76А; 75Вт; TO247" 1.

0.0
IMW120R090M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
2 225.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R090M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 50А; 58Вт; TO247" 1.

0.0
IMW120R140M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
2 134.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R140M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 13А; Idm: 32А; 47Вт; TO247" 1.

0.0
IMW120R220M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
1 563.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R220M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 9,5А; Idm: 21А; 37,5Вт" 1.

0.0
IMW120R350M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
1 051.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R350M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 4,7А; Idm: 13А; 30Вт" 1.

0.0
IMW65R027M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...23В
4 729.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW65R027M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 39А; Idm: 185А; 189Вт" 1.

0.0
IMW65R048M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...23В
3 667.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW65R048M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 24А; Idm: 100А; 125Вт" 1.

0.0
IMW65R072M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...23В
2 204.80 
Доступность: 25 шт.
 

Минимальное количество для товара "IMW65R072M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 18А; Idm: 69А; 96Вт; TO247" 1.

0.0
IMW65R107M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...23В
1 723.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW65R107M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 13А; Idm: 48А; 75Вт; TO247" 1.

0.0
IMX1T110
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току120...560 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
37.60 
Доступность: 2524 шт.
 

Минимальное количество для товара "IMX1T110, Транзистор: NPN x2; биполярный; 50В; 0,15А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMX25T110
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току820...2700 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер20В
78.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMX25T110, Транзистор: NPN x2; биполярный; 20В; 0,3А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMX3T108
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току120...560 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
28.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMX3T108, Транзистор: NPN x2; биполярный; 50В; 0,15А; 300мВт; SC74,SOT457" 5.

0.0
IMX8MP-SOM-4GB-I
Обозначение производителяIMX8MP-SOM-4GB-IND ПроизводительOLIMEX Тип средств разработкиARM NXP
13 867.20 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "IMX8MP-SOM-4GB-IND, Ср-во разработки: ARM NXP" 1.

0.0
IMX8MP-SOM-EVB-I
Обозначение производителяIMX8MP-SOM-EVB-IND ПроизводительOLIMEX Тип средств разработкиARM NXP
9 907.20 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "IMX8MP-SOM-EVB-IND, Ср-во разработки: ARM NXP" 1.

0.0
IMX8T108
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току180...820 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер120В
51.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMX8T108, Транзистор: NPN x2; биполярный; 120В; 50мА; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMZ120R030M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
3 470.40 
Доступность: 28 шт.
 

Минимальное количество для товара "IMZ120R030M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 45А; Idm: 150А; 114Вт" 1.

0.0
IMZ120R060M1HXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
2 422.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMZ120R060M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 26А; Idm: 76А; 75Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (208)
Хиты продаж