IMW65R048M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 24А; Idm: 100А; 125Вт

IMW65R048M1HXKSA1

Срок поставки 4-6 недель

4 347.79 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
90+
Цена
3 915.82 ₽
3 460.88 ₽
3 114.80 ₽
2 897.96 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IMW65R048M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 24А; Idm: 100А; 125Вт" 1.

Артикул производителя
IMW65R048M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Код производителя
IMW65R048M1HXKSA1
Корпус
TO247
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...23В
Напряжение сток-исток
650В
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
125Вт
Сопротивление в открытом состоянии
63мОм
Технология
CoolSiC™, SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
24А
Ток стока в импульсном режиме
100А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России