IMW65R027M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 39А; Idm: 185А; 189Вт

IMW65R027M1HXKSA1

Срок поставки 4-6 недель

4 486.39 
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IMW65R027M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 39А; Idm: 185А; 189Вт" 1.

Артикул производителя
IMW65R027M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Код производителя
IMW65R027M1HXKSA1
Корпус
TO247
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-5...23В
Напряжение сток-исток
650В
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
189Вт
Сопротивление в открытом состоянии
35мОм
Технология
CoolSiC™, SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
39А
Ток стока в импульсном режиме
185А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России