Товары из категории полупроводники - страница 2035

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC Код производителяSI4425DDY-T1-GE3 КорпусSO8
203.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4425DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -15,7А; 3,6Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC Код производителяSI4425FDY-T1-GE3 КорпусSO8
192.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4425FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18,3А; Idm: -70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSI4426DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4426DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 8,5А; Idm: 40А; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSI4427BDY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4427BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12,6А; Idm: -50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSI4427BDY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4427BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12,6А; Idm: -50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяSI4430BDY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4430BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 60А; 3Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяSI4430BDY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4430BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 60А; 3Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSI4431BDY-T1-E3 КорпусSO8
251.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4431BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,7А; Idm: -30А; 0,9Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяSI4431CDY-T1-GE3 КорпусSO8
227.23 
Доступность: 1675 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4431CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,2А; Idm: -30А; 2,7Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16,5нC Код производителяSI4434ADY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4434ADY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 4,1А; Idm: 25А; 6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSI4434DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4434DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 3А; Idm: 30А; 3,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSI4434DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4434DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 3А; Idm: 30А; 3,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSI4435DDY-T1-E3 КорпусSO8
99.57 
Доступность: 3162 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4435DDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,5А; 5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSI4435DDY-T1-GE3 КорпусSO8
160.85 
Доступность: 1969 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4435DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -9,1А; Idm: -50А; 3,2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Код производителяSI4435DY КорпусSO8
270.64 
Доступность: 1388 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4435DY, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -8,8А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяSI4435DYTRPBF КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
187.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4435DYTRPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; Idm: -50А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC Код производителяSI4435FDY-T1-GE3 КорпусSO8
108.09 
Доступность: 96 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4435FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12,6А; Idm: -32А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSI4436DY-T1-E3 КорпусSO8
162.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4436DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; Idm: 25А; 3,2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC Код производителяSI4436DY-T1-GE3 КорпусSO8
173.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4436DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6,8А; 3,2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSI4442DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4442DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 22А; Idm: 60А; 3,5Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж