Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторные модули MOSFET

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
IXFN80N60P3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт
0.0
IXFN80N60P3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора0,19мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 547 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN80N60P3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

IXFN82N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 72А; SOT227B; винтами; 1040Вт
0.0
IXFN82N60P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 007 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN82N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 72А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

IXFN82N60Q3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт
0.0
IXFN82N60Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора275нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 275 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN82N60Q3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

IXFN90N170SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 67А; SOT227B; винтами; SiC
0.0
IXFN90N170SK
Вид каналаобогащенный Заряд затвора376нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
93 516 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN90N170SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 67А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

IXFN90N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 90А; SOT227B; винтами; 1200Вт
0.0
IXFN90N85X
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора340нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 756 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN90N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 90А; SOT227B; винтами; 1200Вт" 1.

IXFN94N50P2, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 68А; SOT227B; винтами; 780Вт
0.0
IXFN94N50P2
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора0,22мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 479 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN94N50P2, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 68А; SOT227B; винтами; 780Вт" 1.

IXKN40N60C, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 40А; SOT227B; винтами; 290Вт
0.0
IXKN40N60C
Вид каналаобогащенный Время готовности650нс Заряд затвора250нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 565 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXKN40N60C, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 40А; SOT227B; винтами; 290Вт" 1.

IXKN45N80C, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 44А; SOT227B; винтами; 380Вт
0.0
IXKN45N80C
Вид каналаобогащенный Время готовности800нс Заряд затвора360нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 178 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXKN45N80C, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 44А; SOT227B; винтами; 380Вт" 1.

IXKN75N60C, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 50А; SOT227B; винтами; 560Вт
0.0
IXKN75N60C
Вид каналаобогащенный Время готовности580нс Заряд затвора500нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
10 981 ₽
Доступность: 9 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXKN75N60C, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 50А; SOT227B; винтами; 560Вт" 1.

IXTN102N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 76А; SOT227B; винтами; 595Вт
0.0
IXTN102N65X2
Вид каналаобогащенный Время готовности450нс Заряд затвора152нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 222 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN102N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 76А; SOT227B; винтами; 595Вт" 1.

IXTN110N20L2, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 100А; SOT227B; винтами; 735Вт
0.0
IXTN110N20L2
Вид каналаобогащенный Время готовности420нс Заряд затвора500нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 864 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN110N20L2, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 100А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

IXTN120P20T, Модуль; одиночный транзистор; -200В; -106А; SOT227B; винтами
0.0
IXTN120P20T
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора740нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
11 093 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN120P20T, Модуль; одиночный транзистор; -200В; -106А; SOT227B; винтами" 1.

IXTN17N120L, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 15А; SOT227B; винтами; 540Вт
0.0
IXTN17N120L
Вид каналаобогащенный Время готовности1,83мкс Заряд затвора155нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
13 418 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN17N120L, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 15А; SOT227B; винтами; 540Вт" 1.

IXTN200N10L2, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 178А; SOT227B; винтами; 830Вт
0.0
IXTN200N10L2
Вид каналаобогащенный Время готовности245нс Заряд затвора540нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 896 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN200N10L2, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 178А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

IXTN200N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 550Вт
0.0
IXTN200N10T
Вид каналаобогащенный Время готовности76нс Заряд затвора152нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 008 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN200N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 550Вт" 1.

IXTN210P10T, Модуль; одиночный транзистор; -100В; -210А; SOT227B; винтами
0.0
IXTN210P10T
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора740нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 888 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN210P10T, Модуль; одиночный транзистор; -100В; -210А; SOT227B; винтами" 1.

IXTN22N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 22А; SOT227B; винтами; Idm: 50А
0.0
IXTN22N100L
Вид каналаобогащенный Время готовности1мкс Заряд затвора0,27мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
13 418 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN22N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 22А; SOT227B; винтами; Idm: 50А" 1.

IXTN240N075L2, Модуль; одиночный транзистор; 75В; 225А; SOT227B; винтами; 735Вт
0.0
IXTN240N075L2
Вид каналаобогащенный Время готовности206нс Заряд затвора546нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
9 295 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN240N075L2, Модуль; одиночный транзистор; 75В; 225А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

IXTN30N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 30А; SOT227B; винтами; Idm: 70А
0.0
IXTN30N100L
Вид каналаобогащенный Время готовности1мкс Заряд затвора545нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
17 484 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN30N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 30А; SOT227B; винтами; Idm: 70А" 1.

IXTN32P60P, Модуль; одиночный транзистор; -600В; -32А; SOT227B; винтами; 890Вт
0.0
IXTN32P60P
Вид каналаобогащенный Время готовности480нс Заряд затвора196нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 725 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN32P60P, Модуль; одиночный транзистор; -600В; -32А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXTN40P50P, Модуль; одиночный транзистор; -500В; -40А; SOT227B; винтами; 890Вт
0.0
IXTN40P50P
Вид каналаобогащенный Время готовности477нс Заряд затвора205нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 925 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN40P50P, Модуль; одиночный транзистор; -500В; -40А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXTN46N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 46А; SOT227B; винтами; 700Вт
0.0
IXTN46N50L
Вид каналаобогащенный Время готовности0,6мкс Заряд затвора260нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
13 418 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN46N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 46А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

IXTN550N055T2, Модуль; одиночный транзистор; 55В; 550А; SOT227B; винтами; 940Вт
0.0
IXTN550N055T2
Вид каналаобогащенный Время готовности100нс Заряд затвора595нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 526 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN550N055T2, Модуль; одиночный транзистор; 55В; 550А; SOT227B; винтами; 940Вт" 1.

IXTN600N04T2, Модуль; одиночный транзистор; 40В; 600А; SOT227B; винтами; 940Вт
0.0
IXTN600N04T2
Вид каналаобогащенный Время готовности100нс Заряд затвора590нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 722 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN600N04T2, Модуль; одиночный транзистор; 40В; 600А; SOT227B; винтами; 940Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (13)