Товары из категории транзисторные модули mosfet, стр.14

Производитель

Транзисторные модули MOSFET — это высокомощные полупроводниковые устройства, предназначенные для управления большими токами и напряжениями в составе импульсных источников питания, частотных преобразователей, инверторов, систем бесперебойного питания (ИБП) и электроприводов.

Обеспечивают быстрое переключение, низкие потери мощности и высокую эффективность по сравнению с механическими реле и контактами.

В каталоге 7-el.ru — транзисторные модули MOSFET от проверенных производителей: KEFA, Infineon, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Vishay, Rexant. Гарантия качества, полная документация и быстрая доставка по всей России.

0.0
IXFN64N50P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора150нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 490.12 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN64N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 50А; SOT227B; винтами; 625Вт" 1.

0.0
IXFN64N60P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора200нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 611.07 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN64N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 50А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

0.0
IXFN66N85X
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора230нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 184.98 
Доступность: 4 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXFN66N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 65А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

0.0
IXFN80N50Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора200нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 286.17 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN80N50Q3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 63А; SOT227B; винтами; 780Вт" 1.

0.0
IXFN80N60P3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора0,19мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 165.22 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN80N60P3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

0.0
IXFN82N60P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 524.90 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN82N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 72А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

0.0
IXFN82N60Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора275нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
11 430.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN82N60Q3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

0.0
IXFN90N170SK
Вид каналаобогащенный Заряд затвора376нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
87 084.58 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN90N170SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 67А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

0.0
IXFN90N85X
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора340нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 153.36 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN90N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 90А; SOT227B; винтами; 1200Вт" 1.

0.0
IXFN94N50P2
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора0,22мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 101.98 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXFN94N50P2, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 68А; SOT227B; винтами; 780Вт" 1.

0.0
IXKN40N60C
Вид каналаобогащенный Время готовности650нс Заряд затвора250нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 113.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXKN40N60C, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 40А; SOT227B; винтами; 290Вт" 1.

0.0
IXKN45N80C
Вид каналаобогащенный Время готовности800нс Заряд затвора360нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
11 340.71 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXKN45N80C, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 44А; SOT227B; винтами; 380Вт" 1.

0.0
IXKN75N60C
Вид каналаобогащенный Время готовности580нс Заряд затвора500нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
10 226.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXKN75N60C, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 50А; SOT227B; винтами; 560Вт" 1.

0.0
IXTN102N65X2
Вид каналаобогащенный Время готовности450нс Заряд затвора152нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 863.24 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXTN102N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 76А; SOT227B; винтами; 595Вт" 1.

0.0
IXTN110N20L2
Вид каналаобогащенный Время готовности420нс Заряд затвора500нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 392.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXTN110N20L2, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 100А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

0.0
IXTN120P20T
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора740нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
10 330.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXTN120P20T, Модуль; одиночный транзистор; -200В; -106А; SOT227B; винтами" 1.

0.0
IXTN17N120L
Вид каналаобогащенный Время готовности1,83мкс Заряд затвора155нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 494.86 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXTN17N120L, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 15А; SOT227B; винтами; 540Вт" 1.

0.0
IXTN200N10L2
Вид каналаобогащенный Время готовности245нс Заряд затвора540нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 353.36 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXTN200N10L2, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 178А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

0.0
IXTN200N10T
Вид каналаобогащенный Время готовности76нс Заряд затвора152нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 526.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXTN200N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 550Вт" 1.

0.0
IXTN210P10T
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора740нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 345.45 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXTN210P10T, Модуль; одиночный транзистор; -100В; -210А; SOT227B; винтами" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (13)
Хиты продаж