Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторные модули MOSFET

IXFN64N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 50А; SOT227B; винтами; 625Вт

0.0

КОД:

IXFN64N50P

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора150нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

4 822 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN64N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 50А; SOT227B; винтами; 625Вт" 1.

IXFN64N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 50А; SOT227B; винтами; 700Вт

0.0

КОД:

IXFN64N60P

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора200нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

6 025 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN64N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 50А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

IXFN66N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 65А; SOT227B; винтами; 830Вт

0.0

КОД:

IXFN66N85X

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора230нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

8 789 ₽

Доступность: 6 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN66N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 65А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

IXFN80N50Q3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 63А; SOT227B; винтами; 780Вт

0.0

КОД:

IXFN80N50Q3

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора200нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

8 898 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN80N50Q3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 63А; SOT227B; винтами; 780Вт" 1.

IXFN80N60P3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт

0.0

КОД:

IXFN80N60P3

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора0,19мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

5 547 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN80N60P3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

IXFN82N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 72А; SOT227B; винтами; 1040Вт

0.0

КОД:

IXFN82N60P

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

7 007 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN82N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 72А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

IXFN82N60Q3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт

0.0

КОД:

IXFN82N60Q3

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора275нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

12 275 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN82N60Q3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

IXFN90N170SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 67А; SOT227B; винтами; SiC

0.0

КОД:

IXFN90N170SK

Вид каналаобогащенный Заряд затвора376нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами

93 516 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN90N170SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 67А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

IXFN90N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 90А; SOT227B; винтами; 1200Вт

0.0

КОД:

IXFN90N85X

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора340нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

8 756 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN90N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 90А; SOT227B; винтами; 1200Вт" 1.

IXFN94N50P2, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 68А; SOT227B; винтами; 780Вт

0.0

КОД:

IXFN94N50P2

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора0,22мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

5 479 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN94N50P2, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 68А; SOT227B; винтами; 780Вт" 1.

IXKN40N60C, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 40А; SOT227B; винтами; 290Вт

0.0

КОД:

IXKN40N60C

Вид каналаобогащенный Время готовности650нс Заряд затвора250нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

6 565 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXKN40N60C, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 40А; SOT227B; винтами; 290Вт" 1.

IXKN45N80C, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 44А; SOT227B; винтами; 380Вт

0.0

КОД:

IXKN45N80C

Вид каналаобогащенный Время готовности800нс Заряд затвора360нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

12 178 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXKN45N80C, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 44А; SOT227B; винтами; 380Вт" 1.

IXKN75N60C, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 50А; SOT227B; винтами; 560Вт

0.0

КОД:

IXKN75N60C

Вид каналаобогащенный Время готовности580нс Заряд затвора500нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

10 981 ₽

Доступность: 9 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXKN75N60C, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 50А; SOT227B; винтами; 560Вт" 1.

IXTN102N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 76А; SOT227B; винтами; 595Вт

0.0

КОД:

IXTN102N65X2

Вид каналаобогащенный Время готовности450нс Заряд затвора152нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

5 222 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTN102N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 76А; SOT227B; винтами; 595Вт" 1.

IXTN110N20L2, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 100А; SOT227B; винтами; 735Вт

0.0

КОД:

IXTN110N20L2

Вид каналаобогащенный Время готовности420нс Заряд затвора500нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

6 864 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTN110N20L2, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 100А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

IXTN120P20T, Модуль; одиночный транзистор; -200В; -106А; SOT227B; винтами

0.0

КОД:

IXTN120P20T

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора740нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

11 093 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTN120P20T, Модуль; одиночный транзистор; -200В; -106А; SOT227B; винтами" 1.

IXTN17N120L, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 15А; SOT227B; винтами; 540Вт

0.0

КОД:

IXTN17N120L

Вид каналаобогащенный Время готовности1,83мкс Заряд затвора155нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

13 418 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTN17N120L, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 15А; SOT227B; винтами; 540Вт" 1.

IXTN200N10L2, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 178А; SOT227B; винтами; 830Вт

0.0

КОД:

IXTN200N10L2

Вид каналаобогащенный Время готовности245нс Заряд затвора540нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

7 896 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTN200N10L2, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 178А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

IXTN200N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 550Вт

0.0

КОД:

IXTN200N10T

Вид каналаобогащенный Время готовности76нс Заряд затвора152нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

7 008 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTN200N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 550Вт" 1.

IXTN210P10T, Модуль; одиночный транзистор; -100В; -210А; SOT227B; винтами

0.0

КОД:

IXTN210P10T

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора740нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

7 888 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXTN210P10T, Модуль; одиночный транзистор; -100В; -210А; SOT227B; винтами" 1.