Товары из категории модули и транзисторы igbt, стр.15

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
GD200HFU120C2S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFU120C2S
19 979.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD200HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD20PJX65F1S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD20PJX65F1S
6 187.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD20PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А" 1.

0.0
GD20PJX65L2S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD20PJX65L2S
6 099.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD20PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А" 1.

0.0
GD25PJY120L3S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD25PJY120L3S
8 327.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD25PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А" 1.

0.0
GD30PJX65L2S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD30PJX65L2S
5 745.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD30PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 30А" 1.

0.0
GD35PJY120L3S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD35PJY120L3S
8 893.02 
Доступность: 14 шт.
 

Минимальное количество для товара "GD35PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А" 1.

0.0
GD40PIY120C5S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD40PIY120C5S
12 393.80 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "GD40PIY120C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 40А" 1.

0.0
GD50FFX65C5S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FFX65C5S
11 139.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

0.0
GD50FFY120C5S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FFY120C5S
13 348.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50FFY120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

0.0
GD50FSX65L2S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусL2.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50FSX65L2S
6 471.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50FSX65L2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 50А; L2.1" 1.

0.0
GD50HFX65C1S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50HFX65C1S
6 807.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

0.0
GD50HHU120C5S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50HHU120C5S
13 950.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50HHU120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 50А" 1.

0.0
GD50PIX65C5S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50PIX65C5S
13 066.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50PIX65C5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

0.0
GD50PJX65L3S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD50PJX65L3S
9 389.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD50PJX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

0.0
GD75FFX65C5S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75FFX65C5S
12 924.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD75FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

0.0
GD75HFY120C1S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75HFY120C1S
7 584.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD75HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

0.0
GD75MLX65L3S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD75MLX65L3S
9 565.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD75MLX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
GT15J341
Вид упаковкитуба Время включения180нс Время выключения320нс КорпусTO220FP МонтажTHT
297.67 
Доступность: 114 шт.
 

Минимальное количество для товара "GT15J341,S4X(S, Транзистор: IGBT; 600В; 15А; 30Вт; TO220FP" 1.

0.0
GT20J341
Вид упаковкитуба Время включения0,2мкс Время выключения370нс КорпусTO220FP МонтажTHT
499.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GT20J341,S4X(S, Транзистор: IGBT; 600В; 11А; 45Вт; TO220FP" 1.

0.0
GT30J121Q
Вид упаковкитуба Время включения240нс Время выключения430нс КорпусTO3PN МонтажTHT
556.59 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "GT30J121(Q), Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 170Вт; TO3PN" 1.

0.0
GT40QR21
Вид упаковкитуба Время включения0,3мкс Время выключения0,6мкс КорпусTO3PN МонтажTHT
848.06 
Доступность: 224 шт.
 

Минимальное количество для товара "GT40QR21(STA1,E,D, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 230Вт; TO3PN" 1.

0.0
GT40WR21
Вид упаковкитуба Время включения950нс Время выключения570нс КорпусTO3PN МонтажTHT
2 032.56 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "GT40WR21,Q(O, Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 375Вт; TO3PN" 1.

0.0
GT50JR21
Вид упаковкитуба Время включения430нс Время выключения720нс КорпусTO3PN МонтажTHT
798.45 
Доступность: 196 шт.
 

Минимальное количество для товара "GT50JR21(STA1,E,S), Транзистор: IGBT; 600В; 49А; 230Вт; TO3PN" 1.

0.0
GT50JR22
Вид упаковкитуба Время включения250нс Время выключения330нс КорпусTO3PN МонтажTHT
972.09 
Доступность: 112 шт.
 

Минимальное количество для товара "GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN" 1.

0.0
HFGM100D12V1-HUA
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM100D12V1
8 465.12 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "HFGM100D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
HFGM150D12V3-HUA
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM150D12V3
13 348.84 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "HFGM150D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
HFGM200D12V3-HUA
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM200D12V3
14 000.00 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "HFGM200D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
HFGM300D12V3-HUA
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM300D12V3
23 255.81 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "HFGM300D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
HFGM75D12V1-HUA
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM75D12V1
7 488.37 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "HFGM75D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
HPFM-00117
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток30А Класс напряжения3,3кВ МонтажPCB Обозначение производителяHPFM-00117
61 700.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HPFM-00117, Module: gate driver board; PCB; 3.3kV; 14.5÷16VDC; 15kHz; 30A" 1.

0.0
IFF450B12ME4PB11
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIFF450B12ME4PB11BPSA1
34 795.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IFF450B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
IFF600B12ME4PB11
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIFF600B12ME4PB11BPSA1
45 686.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IFF600B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
IGB10N60T
Вид упаковкитуба КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
209.30 
Доступность: 1108 шт.
 

Минимальное количество для товара "IGB10N60TATMA1, Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 110Вт; D2PAK" 1.

0.0
IGB15N60T
Вид упаковкитуба КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
297.67 
Доступность: 837 шт.
 

Минимальное количество для товара "IGB15N60TATMA1, Транзистор: IGBT; 600В; 15А; 130Вт; D2PAK" 1.

0.0
IGB20N60H3
Вид упаковкитуба КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
337.98 
Доступность: 801 шт.
 

Минимальное количество для товара "IGB20N60H3ATMA1, Транзистор: IGBT; 600В; 20А; 170Вт; D2PAK" 1.

0.0
IGB30N60H3
Вид упаковкитуба КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
376.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IGB30N60H3ATMA1, Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 187Вт; D2PAK" 1.

0.0
IGB50N65S5ATMA1
Вид упаковкибобина, лента Время включения50нс Время выключения199нс Заряд затвора0,12мкC КорпусD2PAK
609.30 
Доступность: 875 шт.
 

Минимальное количество для товара "IGB50N65S5ATMA1, Транзистор: IGBT; 650В; 63А; 135Вт; D2PAK" 1.

0.0
IGP06N60T
Вид упаковкитуба КорпусTO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
255.81 
Доступность: 205 шт.
 

Минимальное количество для товара "IGP06N60TXKSA1, Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 88Вт; TO220-3" 1.

0.0
IGP10N60T
Вид упаковкитуба КорпусTO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
240.31 
Доступность: 101 шт.
 

Минимальное количество для товара "IGP10N60TXKSA1, Транзистор: IGBT; 600В; 18А; 110Вт; TO220-3" 1.

0.0
IGP15N60T
Вид упаковкитуба КорпусTO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
317.83 
Доступность: 586 шт.
 

Минимальное количество для товара "IGP15N60TXKSA1, Транзистор: IGBT; 600В; 23А; 130Вт; TO220-3" 1.

Показать еще 40 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)
Хиты продаж