Транзисторы и модули IGBT

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
IXYX140N90C3
Вид упаковкитуба Время включения122нс Время выключения0,3мкс Заряд затвора330нC КорпусPLUS247™
3 574 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYX140N90C3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 900В; 140А; 1,63кВт; PLUS247™" 1.

0.0
IXYX200N65B3
Вид упаковкитуба Время включения170нс Время выключения700нс Заряд затвора340нC КорпусPLUS247™
6 409 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYX200N65B3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 200А; 1,56кВт; PLUS247™" 1.

0.0
IXYX25N250CV1
Вид упаковкитуба Время включения51нс Время выключения575нс Заряд затвора147нC КорпусPLUS247™
5 925 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYX25N250CV1, Транзистор: IGBT; XPT™; 2,5кВ; 25А; 937Вт; PLUS247™" 1.

0.0
IXYX25N250CV1HV
Вид упаковкитуба Время включения51нс Время выключения575нс Заряд затвора147нC КорпусTO247HV
7 273 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYX25N250CV1HV, Транзистор: IGBT; XPT™; 2,5кВ; 25А; 937Вт; TO247HV" 1.

0.0
IXYX30N170CV1
Вид упаковкитуба Время включения49нс Время выключения327нс Заряд затвора150нC КорпусPLUS247™
3 935 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYX30N170CV1, Транзистор: IGBT; XPT™; 1,7кВ; 30А; 937Вт; PLUS247™" 1.

0.0
IXYX40N250CHV
Вид упаковкитуба Время включения43нс Время выключения505нс Заряд затвора0,27мкC КорпусTO247HV
11 385 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYX40N250CHV, Транзистор: IGBT; XPT™; 2,5кВ; 40А; 1,5кВт; TO247HV" 1.

0.0
IXYX40N450HV
Вид упаковкитуба Время включения786нс Время выключения1128нс Заряд затвора170нC КорпусTO247HV
11 750 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYX40N450HV, Транзистор: IGBT; XPT™; 4,5кВ; 40А; 660Вт; TO247HV" 1.

0.0
IXYX50N170C
Вид упаковкитуба Время включения62нс Время выключения396нс Заряд затвора260нC КорпусPLUS247™
5 131 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXYX50N170C, Транзистор: IGBT; XPT™; 1,7кВ; 50А; 1,5кВт; PLUS247™" 1.

0.0
IXYY8N90C3
Вид упаковкитуба Время включения39нс Время выключения238нс Заряд затвора13,3нC КорпусTO252
‍672‍ 
Доступность: 350 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXYY8N90C3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 900В; 8А; 125Вт; TO252" 1.

0.0
LGB15N41ATI
ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В
‍224‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LGB15N41ATI, Транзистор: IGBT; 410В; 15А; 107Вт; D2PAK; ESD" 1.

0.0
LGB8202ARI
ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер440В
‍207‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LGB8202ARI, Транзистор: IGBT; 440В; 20А; D2PAK; Характеристики: logic level" 1.

0.0
LGB8206ARI
ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер390В
‍236‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LGB8206ARI, Транзистор: IGBT; 390В; 20А; D2PAK; Характеристики: logic level" 1.

0.0
LGB8206ATI
ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер390В
‍236‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LGB8206ATI, Транзистор: IGBT; 390В; 20А; D2PAK; Характеристики: logic level" 1.

0.0
LGB8207ATH
ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В
‍236‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LGB8207ATH, Транзистор: IGBT; 365В; 20А; 165Вт; D2PAK; ESD" 1.

0.0
LGB8207TH
ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В
‍236‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LGB8207TH, Транзистор: IGBT; 365В; 20А; 165Вт; D2PAK; системы зажигания; ESD" 1.

0.0
LGS8206AUI
ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер390В
‍236‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "LGS8206AUI, Транзистор: IGBT; 390В; 20А; D2PAK; Характеристики: logic level" 1.

0.0
MCMA240UI1600ED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMCMA240UI1600ED
26 525 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MCMA240UI1600ED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MCMA240UI1600PED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMCMA240UI1600PED
26 525 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MCMA240UI1600PED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MCNA120UI2200PED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMCNA120UI2200PED
33 496 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MCNA120UI2200PED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 80А" 1.

0.0
MCNA120UI2200TED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMCNA120UI2200TED
30 591 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MCNA120UI2200TED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 80А" 1.

0.0
MDI100-12A3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDI100-12A3
13 418 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MDI100-12A3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 90А" 1.

0.0
MDI150-12A4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDI150-12A4
15 740 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MDI150-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 120А" 1.

0.0
MDI300-12A4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDI300-12A4
21 684 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MDI300-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 220А" 1.

0.0
MDI550-12A4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMDI550-12A4
46 469 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MDI550-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 460А" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)