Товары из категории модули и транзисторы igbt, стр.53

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
IXYK140N90C3
Вид упаковкитуба Время включения122нс Время выключения0,3мкс Заряд затвора330нC КорпусTO264
5 392.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYK140N90C3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 900В; 140А; 1,63кВт; TO264" 1.

0.0
IXYK200N65B3
Вид упаковкитуба Время включения170нс Время выключения700нс Заряд затвора340нC КорпусTO264
5 888.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYK200N65B3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 200А; 1,56кВт; TO264" 1.

0.0
IXYL40N250CV1
Вид упаковкитуба Время включения43нс Время выключения505нс Заряд затвора0,27мкC КорпусISOPLUS i5-pac™
19 624.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYL40N250CV1, Транзистор: IGBT; XPT™; 2,5кВ; 40А; 577Вт; ISOPLUS i5-pac™" 1.

0.0
IXYL60N450
Вид упаковкитуба Время включения724нс Время выключения1,58мкс Заряд затвора366нC КорпусISOPLUS i5-pac™
23 762.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYL60N450, Транзистор: IGBT; XPT™; 4,5кВ; 38А; 417Вт; ISOPLUS i5-pac™" 1.

0.0
IXYN100N120C3
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N120C3
8 548.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN100N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А; SOT227B" 1.

0.0
IXYN100N120C3H1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N120C3H1
10 767.44 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXYN100N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 62А; SOT227B" 1.

0.0
IXYN100N65B3D1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N65B3D1
5 710.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN100N65B3D1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 100А; SOT227B" 1.

0.0
IXYN100N65C3H1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N65C3H1
4 431.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN100N65C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 90А; SOT227B" 1.

0.0
IXYN120N120C3
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN120N120C3
6 547.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN120N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 120А; SOT227B" 1.

0.0
IXYN150N60B3
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN150N60B3
8 168.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN150N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 140А; SOT227B" 1.

0.0
IXYN30N170CV1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN30N170CV1
6 832.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN30N170CV1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 30А; SOT227B" 1.

0.0
IXYN50N170CV1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN50N170CV1
11 880.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN50N170CV1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 50А; SOT227B" 1.

0.0
IXYN75N65C3D1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN75N65C3D1
5 463.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN75N65C3D1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 75А; SOT227B" 1.

0.0
IXYN80N90C3H1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN80N90C3H1
7 550.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN80N90C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 70А; SOT227B" 1.

0.0
IXYN82N120C3
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN82N120C3
7 796.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN82N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 46А; SOT227B" 1.

0.0
IXYN82N120C3H1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN82N120C3H1
10 161.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYN82N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 66А; SOT227B" 1.

0.0
IXYP10N65C3
Вид упаковкитуба Время включения44нс Время выключения128нс Заряд затвора18нC КорпусTO220-3
293.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYP10N65C3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 10А; 160Вт; TO220-3" 1.

0.0
IXYP10N65C3D1M
Вид упаковкитуба Время включения44нс Время выключения128нс Заряд затвора18нC КорпусTO220FP
134.88 
Доступность: 23 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXYP10N65C3D1M, Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 7А; 53Вт; TO220FP" 1.

0.0
IXYP15N65C3
Вид упаковкитуба Время включения36нс Время выключения122нс Заряд затвора19нC КорпусTO220-3
437.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYP15N65C3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 15А; 200Вт; TO220-3" 1.

0.0
IXYP15N65C3D1
Вид упаковкитуба Время включения36нс Время выключения102нс Заряд затвора19нC КорпусTO220-3
449.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYP15N65C3D1, Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 15А; 200Вт; TO220-3" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж