Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 57

Производитель
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG06300D-BN4MM
31 910.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG06300D-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG06400D-BN4MM
40 169.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG06400D-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG0675S-BN4MM
15 372.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG0675S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG100HF12MRC1
6 218.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG100HF12MRC1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-UZ Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG100UZ12GJ
4 497.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG100UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; GJ-UZ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG10P12P2
4 172.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG10P12P2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 10А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12100S-BN2MM
18 132.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG12100S-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12150S-BN2MM
23 453.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG12150S-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage W Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12150W-XN2MM
55 561.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG12150W-XN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12200D-BN2MM
32 285.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG12200D-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12300D-BN2MM
50 118.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG12300D-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG15P12P2
5 098.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG15P12P2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG17100S-BN4MM
27 593.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG17100S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Обозначение производителяMG1750S-BN4MM Обратное напряжение макс.1,7кВ
18 526.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG1750S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG1775S-BN4MM
22 899.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG1775S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG200HF12MRC2
11 933.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG200HF12MRC2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG25P12P3
6 949.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG25P12P3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG35P12P3
8 800.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG35P12P3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-U Механический монтажвинтами Обозначение производителяMG50U12GJ Обратное напряжение макс.1,2кВ
4 497.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG50U12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; GJ-U" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-UZ Механический монтажвинтами Обозначение производителяMG50UZ12GJ Обратное напряжение макс.1,2кВ
4 497.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MG50UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; GJ-UZ" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж