Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 63

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMUBW50-06A8
13 552.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MUBW50-06A8, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 600В; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMUBW50-12A8
34 726.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MUBW50-12A8, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 60А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMUBW50-12T8
19 145.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MUBW50-12T8, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMUBW50-17T8
31 235.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MUBW50-17T8, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 53А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMUBW75-06A8
20 647.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MUBW75-06A8, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 600В; Ic: 65А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMUBW75-12T8
37 729.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MUBW75-12T8, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMUBW75-17T8
49 742.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MUBW75-17T8, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 34А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI100-06A8
17 380.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI100-06A8, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 88А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI100-12A8
51 806.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI100-12A8, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 110А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI15-12A7
18 095.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI15-12A7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 20А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI150-12T8T
59 690.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI150-12T8T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI200-06A8
32 848.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI200-06A8, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 115А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI25-12A7T
20 647.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI25-12A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 35А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI30-06A7
10 699.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI30-06A7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 30А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI30-06A7T
11 149.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI30-06A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 30А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI35-12A7
21 774.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI35-12A7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 44А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI50-12A7
32 473.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI50-12A7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 60А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI50-12A7T
26 135.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI50-12A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 60А" 3.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI50-12T7T
27 405.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI50-12T7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI60-12T6K
9 215.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MWI60-12T6K, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 41А" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж