Транзисторы и модули IGBT

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
STGWT30H60DFB
Вид упаковкитуба Заряд затвора149нC КорпусTO3P МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
‍701‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STGWT30H60DFB, Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 260Вт; TO3P" 1.

0.0
STGWT30HP65FB
Вид упаковкитуба Заряд затвора149нC КорпусTO3P МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
‍621‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STGWT30HP65FB, Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 260Вт; TO3P" 1.

0.0
STGWT40H65DFB
Вид упаковкитуба Заряд затвора0,21мкC КорпусTO3P МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
‍891‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STGWT40H65DFB, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 283Вт; TO3P" 1.

0.0
STGWT40HP65FB
Вид упаковкитуба Заряд затвора0,21мкC КорпусTO3P МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±30В
‍542‍ 
Доступность: 55 шт.
+

Минимальное количество для товара "STGWT40HP65FB, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 283Вт; TO3P" 1.

0.0
STGWT60H65DFB
Вид упаковкитуба Заряд затвора306нC КорпусTO3P МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
‍762‍ 
Доступность: 97 шт.
+

Минимальное количество для товара "STGWT60H65DFB, Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 375Вт; TO3P" 1.

0.0
STGWT60H65FB
Вид упаковкитуба Заряд затвора306нC КорпусTO3P МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
‍795‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STGWT60H65FB, Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 375Вт; TO3P" 1.

0.0
STGWT60V60DF
Вид упаковкитуба Заряд затвора334нC КорпусTO3P МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
‍990‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STGWT60V60DF, Транзистор: IGBT; 600В; 60А; 375Вт; TO3P" 1.

0.0
STGWT80H65DFB
Вид упаковкитуба Заряд затвора414нC КорпусTO3P МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
1 396 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STGWT80H65DFB, Транзистор: IGBT; 650В; 80А; 470Вт; TO3P" 1.

0.0
STGWT80H65FB
Вид упаковкитуба Заряд затвора414нC КорпусTO3P МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
1 290 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STGWT80H65FB, Транзистор: IGBT; 650В; 80А; 469Вт; TO3P" 1.

0.0
STGWT80V60DF
Вид упаковкитуба Заряд затвора448нC КорпусTO3P МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
1 217 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STGWT80V60DF, Транзистор: IGBT; 600В; 80А; 469Вт; TO3P" 1.

0.0
STGY40NC60VD
Вид упаковкитуба Заряд затвора214нC КорпусMAX247 МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
1 202 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STGY40NC60VD, Транзистор: IGBT; 600В; 50А; 260Вт; MAX247" 1.

0.0
STGYA120M65DF2
Вид упаковкитуба Заряд затвора420нC КорпусMAX247 МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
3 338 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STGYA120M65DF2, Транзистор: IGBT; 650В; 120А; 625Вт; MAX247" 1.

0.0
STGYA120M65DF2AG
Вид упаковкитуба Заряд затвора420нC КорпусMAX247 МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
2 231 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STGYA120M65DF2AG, Транзистор: IGBT; 650В; 120А; 625Вт; MAX247; автомобильная отрасль" 1.

0.0
STGYA50H120DF2
Вид упаковкитуба Заряд затвора0,21мкC КорпусMAX247 МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
1 559 
Доступность: 4 шт.
+

Минимальное количество для товара "STGYA50H120DF2, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 50А; 535Вт; MAX247" 1.

0.0
STGYA50M120DF3
Вид упаковкитуба Заряд затвора194нC КорпусMAX247 МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
2 003 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STGYA50M120DF3, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 50А; 535Вт; MAX247" 1.

0.0
STGYA75H120DF2
Вид упаковкитуба Заряд затвора313нC КорпусMAX247 МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
1 606 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "STGYA75H120DF2, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 75А; 750Вт; MAX247" 1.

0.0
VS-50MT060PHTAPBF
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMTP Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-50MT060PHTAPBF
18 693 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "VS-50MT060PHTAPBF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
VS-GT100DA120UF
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT100DA120UF
10 937 
Доступность: 5 шт.
+

Минимальное количество для товара "VS-GT100DA120UF, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; SOT227B" 1.

0.0
VS-GT100TS065N
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусINT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT100TS065N
14 119 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "VS-GT100TS065N, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

0.0
VS-GT100TS065S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусINT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT100TS065S
16 664 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "VS-GT100TS065S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

0.0
VS-GT150TS065S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусINT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT150TS065S
19 626 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "VS-GT150TS065S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

0.0
VS-GT180DA120U
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT180DA120U
10 399 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "VS-GT180DA120U, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 185А; SOT227B" 1.

0.0
VS-GT200TS065N
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусINT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT200TS065N
19 087 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "VS-GT200TS065N, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

0.0
VS-GT200TS065S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусINT-A-Pak Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяVS-GT200TS065S
23 723 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "VS-GT200TS065S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Показать еще 21 товар
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)