Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 98

Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Вид выходадрайвер MOSFET Выходной ток Класс напряжения1,2кВ Код производителяSKHI 21A R L5012520 КорпусSEMIDRIVER
34 165.84 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKHI 21A R L5012520, Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC" 1.

Вид выходадрайвер MOSFET Выходной ток20А Класс напряжения1,7кВ Код производителяSKHI 21A R L5071603 КорпусSEMIDRIVER
122 109.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKHI 21A R L5071603, Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC" 1.

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток Класс напряжения1,7кВ Код производителяSKHI 22A H4 R L5012522 КорпусSEMIDRIVER
31 212.27 
Доступность: 26 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKHI 22A H4 R L5012522, Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC" 1.

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток Класс напряжения1,2кВ Код производителяSKHI 22A R L5071601 КорпусSEMIDRIVER
33 111.11 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKHI 22A R L5071601, Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC" 1.

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток Класс напряжения1,7кВ Код производителяSKHI 22B H4 R L5012524 КорпусSEMIDRIVER
38 171.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKHI 22B H4 R L5012524, Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC" 12.

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток Класс напряжения1,2кВ Код производителяSKHI 22B R L5071602 КорпусSEMIDRIVER
33 111.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKHI 22B R L5071602, Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC" 1.

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток Класс напряжения1,2кВ Код производителяSKHI 23/12 R L5002371 КорпусSEMIDRIVER
0.00 
Нет в наличии
 
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток Класс напряжения1,7кВ Код производителяSKHI 23/17 R L5002373 КорпусSEMIDRIVER
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKHI 23/17 R L5002373, Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC" 1.

Код производителяSKIIP 01NAC066V3 25232340 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Мощность1,5кВт
13 961.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 01NAC066V3 25232340, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Urmax: 600В" 1.

Код производителяSKIIP 01NEC066V3 25232420 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Мощность1,5кВт
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 01NEC066V3 25232420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 1-фазный диодный мост; Urmax: 600В" 1.

Код производителяSKIIP 02NAC066V3 25232320 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Мощность2,2кВт
14 741.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 02NAC066V3 25232320, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Urmax: 600В" 1.

Код производителяSKIIP 02NAC12T4V1 25232530 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
16 133.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 02NAC12T4V1 25232530, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Ic: 4А" 1.

Код производителяSKIIP 02NEB066V3 25232300 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Мощность2,2кВт
3 500.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 02NEB066V3 25232300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 10А" 198.

Код производителяSKIIP 02NEC066V3 25232310 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Мощность2,2кВт
14 339.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 02NEC066V3 25232310, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 1-фазный диодный мост; Urmax: 600В" 1.

Код производителяSKIIP 03AC126V1 25230880 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
15 142.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 03AC126V1 25230880, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 8А" 1.

Код производителяSKIIP 03NAC126V1 25230870 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
13 940.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 03NAC126V1 25230870, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Ic: 8А" 198.

Код производителяSKIIP 03NAC12T4V1 25232540 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
16 133.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 03NAC12T4V1 25232540, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Ic: 8А" 1.

Код производителяSKIIP 03NEB066V3 25232360 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Мощность3кВт
15 943.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 03NEB066V3 25232360, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 15А" 1.

Код производителяSKIIP 03NEC066V3 25232410 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
16 766.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 03NEC066V3 25232410, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 1-фазный диодный мост; Urmax: 600В" 1.

Код производителяSKIIP 04AC066V1 25230690 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Мощность4кВт
14 952.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 04AC066V1 25230690, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 20А" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж