Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 91

Производитель
ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
49 450.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB12V 22892064, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GB176D 22890700
33 402.05 
Доступность: 41 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB176D 22890700, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
43 105.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB17E4 22895060, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GBD126D 22891102
31 162.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GBD126D 22891102, Модуль: IGBT; диод/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GM12T4 22892470
41 425.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GM12T4 22892470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200MLI066TAT 21917820
95 168.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200MLI066TAT 21917820, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM25GAH125D 21917990
34 969.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM25GAH125D 21917990, Модуль: IGBT; диод/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А" 1.

ВерсияD67 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
31 536.32 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM25GD125D 21918000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 27А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM295GB066D 22895640
25 005.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM295GB066D 22895640, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GA12E4 22892124
36 388.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GA12E4 22892124, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; винтами" 1.

ВерсияD59 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
25 751.28 
Доступность: 30 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM300GA12T4 22892120, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59" 1.

ВерсияD59 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
36 015.41 
Доступность: 11 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM300GA12V 22892123, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GAL066D 21920130
34 895.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GAL066D 21920130, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 300А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GAL07E3 22895590
34 334.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GAL07E3 22895590, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 300А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GAL12E4 22892334
33 589.14 
Доступность: 33 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM300GAL12E4 22892334, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GAL12T4 22892330
38 066.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GAL12T4 22892330, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GAR07E3 22895600
34 334.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GAR07E3 22895600, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 300А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GAR12E4 22892418
25 565.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GAR12E4 22892418, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 324А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GARL066T 21915370
75 574.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GARL066T 21915370, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck-boost chopper,термистор NTC" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GB066D 21915520
45 904.62 
Доступность: 45 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM300GB066D 21915520, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж