Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 95

Категории
Полупроводники
Модули и транзисторы IGBT
Модули IGBT
Транзисторы IGBT
Obsolete
Динисторы
Диоды
Комплекты пусковые
Микросхемы
Мосты выпрямительные
Оснащение для полупроводников
Программаторы и стирающие устройства
Симисторы
+3Еще
Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
SG50N60DB, Транзистор: IGBT; 600В; 50А; TO247AD
0.0
SG50N60DB-SIR
Вид упаковкитуба Код производителяSG50N60DB КорпусTO247AD МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер600В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SG50N60DB, Транзистор: IGBT; 600В; 50А; TO247AD" 1.

SGB02N120, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 2,8А; 62Вт; D2PAK
0.0
SGB02N120
Вид упаковкибобина Время включения40нс Время выключения375нс Код производителяSGB02N120 КорпусD2PAK
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SGB02N120, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 2,8А; 62Вт; D2PAK" 1.

SGO600T120UC3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; 62MM
0.0
SGO600T120UC3-SIR
Код производителяSGO600T120UC3 Конструкция диодаодиночный транзистор Корпус62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SGO600T120UC3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; 62MM" 1.

SGP23N60UFDTU, Транзистор: IGBT; 600В; 12А; 40Вт; TO220-3
0.0
SGP23N60UFDTU
Вид упаковкитуба Заряд затвора80нC Код производителяSGP23N60UFDTU КорпусTO220-3 МонтажTHT
340.80 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SGP23N60UFDTU, Транзистор: IGBT; 600В; 12А; 40Вт; TO220-3" 1.

SK 100 GB 066 T 24914990, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В
0.0
SK100GB066T
Код производителяSK 100 GB 066 T 24914990 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
30 157.55 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 100 GB 066 T 24914990, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

SK 100 GB 12T4 T 24914930, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
SK100GB12T4T
Код производителяSK 100 GB 12T4 T 24914930 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
36 695.69 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 100 GB 12T4 T 24914930, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

SK 100 GD 066 T 24912430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А
0.0
SK100GD066T
Код производителяSK 100 GD 066 T 24912430 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
95 114.43 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 100 GD 066 T 24912430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

SK 100 GD 07F3 TD1 24919170, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А
0.0
SK100GD07F3TD1
Код производителяSK 100 GD 07F3 TD1 24919170 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
108 402.16 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 100 GD 07F3 TD1 24919170, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

SK 100 GD 12T4 T 24914780, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А
0.0
SK100GD12T4T
Код производителяSK 100 GD 12T4 T 24914780 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
119 367.33 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 100 GD 12T4 T 24914780, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

SK100GD12T7ETE2 24922310, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А
0.0
SK100GD12T7ETE2
Код производителяSK100GD12T7ETE2 24922310 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOPE2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
57 785.24 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK100GD12T7ETE2 24922310, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А" 1.

SK 100 GH 12T4 T 24914520, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC
0.0
SK100GH12T4T
Код производителяSK 100 GH 12T4 T 24914520 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
86 467.66 ₽
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SK 100 GH 12T4 T 24914520, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC" 1.

SK 100 MLI 066 T 24914470, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор
0.0
SK100MLI066T
Код производителяSK 100 MLI 066 T 24914470 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
27 416.25 ₽
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SK 100 MLI 066 T 24914470, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

SK 10 GD 126 ET 24910260, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; SEMITOP3
0.0
SK10GD126ET
Код производителяSK 10 GD 126 ET 24910260 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
24 674.13 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 10 GD 126 ET 24910260, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; SEMITOP3" 1.

SK 10 GD 12T4 ET 24914830, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; SEMITOP3
0.0
SK10GD12T4ET
Код производителяSK 10 GD 12T4 ET 24914830 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
22 144.28 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 10 GD 12T4 ET 24914830, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; SEMITOP3" 1.

SK 120 GAL 12F4T 24922420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
0.0
SK120GAL12F4T
Код производителяSK 120 GAL 12F4T 24922420 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
28 682.42 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 120 GAL 12F4T 24922420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

SK 150 DBB 07F3 TD1P 24920301, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x4,термистор NTC
0.0
SK150DBB07F3TD1P
Код производителяSK 150 DBB 07F3 TD1P 24920301 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4-P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
87 943.62 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 150 DBB 07F3 TD1P 24920301, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x4,термистор NTC" 1.

SK 25 GB 12T4 24914890, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
SK25GB12T4
Код производителяSK 25 GB 12T4 24914890 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
7 001.66 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 25 GB 12T4 24914890, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

SK25GD12T4ETE1 24921440, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А; винтами
0.0
SK25GD12T4ETE1
Код производителяSK25GD12T4ETE1 24921440 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOPE1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
11 430.35 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK25GD12T4ETE1 24921440, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А; винтами" 16.

SK 25 GD 12T4 ETP 24919631, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А; винтами
0.0
SK25GD12T4ETP
Код производителяSK 25 GD 12T4 ETP 24919631 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3-P Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
32 899.67 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 25 GD 12T4 ETP 24919631, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А; винтами" 1.

SK 30 GD 066 ET 24914960, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 30А; SEMITOP3
0.0
SK30GD066ET
Код производителяSK 30 GD 066 ET 24914960 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
26 572.97 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SK 30 GD 066 ET 24914960, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 30А; SEMITOP3" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж