Товары из категории транзисторы igbt smd - страница 7

Производитель
ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер390В
235.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGB8206ATI, Транзистор: IGBT; 390В; 20А; D2PAK; Характеристики: logic level" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В
235.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGB8207ATH, Транзистор: IGBT; 365В; 20А; 165Вт; D2PAK; ESD" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В
235.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGB8207TH, Транзистор: IGBT; 365В; 20А; 165Вт; D2PAK; системы зажигания; ESD" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер390В
235.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGS8206AUI, Транзистор: IGBT; 390В; 20А; D2PAK; Характеристики: logic level" 1.

Вид упаковкитуба Время включения105нс Время выключения1365нс Заряд затвора420нC КорпусSMPD
13 596.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1G120N120A3V1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 105А; 400Вт; SMPD" 1.

Вид упаковкитуба Время включения107нс Время выключения595нс Заряд затвора585нC КорпусSMPD
10 966.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1G320N60B3, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 180А; 1кВт; SMPD" 1.

Вид упаковкитуба Время включения92с Время выключения350нс Заряд затвора143нC КорпусSMPD
5 261.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1X100N60B3H1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 68А; 400Вт; SMPD" 1.

Вид упаковкитуба Время включения140нс Время выключения395нс Заряд затвора315нC КорпусSMPD
8 259.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1X200N60B3, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 120А; 625Вт; SMPD" 1.

Вид упаковкитуба Время включения140нс Время выключения395нс Заряд затвора315нC КорпусSMPD
9 148.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1X200N60B3H1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 72А; 520Вт; SMPD" 1.

Вид упаковкитуба Время включения119нс Время выключения346нс Заряд затвора553нC КорпусSMPD
9 863.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1X340N65B4, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 650В; 295А; 1,2кВт; SMPD" 1.

Вид упаковкитуба Время включения122нс Время выключения265нс Заряд затвора0,27мкC КорпусSMPD
9 574.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1Y100N120C3H1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 40А; 400Вт; SMPD" 1.

Вид упаковкитуба Время включения743нс Время выключения1,87мкс Заряд затвора110нC КорпусSMPD
18 285.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX4B22N300, Транзистор: IGBT x4; BiMOSFET™; 3кВ; 22А; 150Вт; SMPD" 1.

Вид упаковкитуба Время включения217нс Время выключения1,066мкс Заряд затвора53нC КорпусSMPD
19 535.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX4G20N250, Транзистор: IGBT x4; 2,5кВ; 4А; 100Вт; SMPD; Топология: Н мост" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В
269.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NGB8207ABNT4G, Транзистор: IGBT; 365В; 20А; 165Вт; D2PAK; системы зажигания; ESD" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента Время включения1мкс Время выключения9,5мкс Заряд затвора22нC
406.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGPR30BM40HRTL, Транзистор: IGBT; 430В; 30А; 125Вт; TO252; ESD" 1.

Вид упаковкибобина, лента Время включения27нс Время выключения170нс Заряд затвора21нC КорпусTO252
510.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGT16BM65DTL, Транзистор: IGBT; 650В; 8А; 47Вт; TO252" 1.

Вид упаковкибобина, лента Время включения27нс Время выключения170нс Заряд затвора21нC КорпусTO263
443.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGT16NL65DGTL, Транзистор: IGBT; 650В; 8А; 47Вт; TO263" 1.

Вид упаковкибобина, лента Время включения40нс Время выключения204нс Заряд затвора32нC КорпусTO263
482.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGT30NL65DGTL, Транзистор: IGBT; 650В; 15А; 66Вт; TO263" 1.

Вид упаковкибобина, лента Время включения51нс Время выключения204нс Заряд затвора40нC КорпусLPDS
468.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGT40NS65DGTL, Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 70Вт; LPDS" 1.

Вид упаковкибобина, лента Время включения65нс Время выключения210нс Заряд затвора49нC КорпусTO263
784.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGT50NL65DGTL, Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 97Вт; TO263" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы IGBT в SMD-исполнении — это силовые полупроводниковые ключи поверхностного монтажа, сочетающие высокую эффективность управления и коммутации с компактностью и совместимостью с автоматизированной сборкой.

Идеальны для плотного монтажа в источниках питания, инверторах, драйверах двигателей и системах управления средней мощности.

В каталоге 7-el.ru — IGBT-транзисторы SMD от проверенных производителей: KEFA, Infineon, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Fuji Electric, Rexant. Гарантия качества, полная документация и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж