Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы и модули IGBT :: Транзисторы IGBT :: Транзисторы IGBT SMD

IXYT80N90C3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 900В; 80А; 830Вт; TO268

0.0

КОД:

IXYT80N90C3

Вид упаковкитуба Время включения134нс Время выключения201нс Заряд затвора145нC КорпусTO268

2 270⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IXYT80N90C3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 900В; 80А; 830Вт; TO268" 1.

IXYY8N90C3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 900В; 8А; 125Вт; TO252

0.0

КОД:

IXYY8N90C3

Вид упаковкитуба Время включения39нс Время выключения238нс Заряд затвора13,3нC КорпусTO252

522⁷³ ^₽

Доступность: 308 шт.

Минимальное количество для товара "IXYY8N90C3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 900В; 8А; 125Вт; TO252" 1.

LGB15N41ATI, Транзистор: IGBT; 410В; 15А; 107Вт; D2PAK; ESD

0.0

КОД:

LGB15N41ATI

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В

242⁴² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "LGB15N41ATI, Транзистор: IGBT; 410В; 15А; 107Вт; D2PAK; ESD" 1.

LGB8202ARI, Транзистор: IGBT; 440В; 20А; D2PAK; Характеристики: logic level

0.0

КОД:

LGB8202ARI

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер440В

254⁷³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "LGB8202ARI, Транзистор: IGBT; 440В; 20А; D2PAK; Характеристики: logic level" 1.

LGB8206ARI, Транзистор: IGBT; 390В; 20А; D2PAK; Характеристики: logic level

0.0

КОД:

LGB8206ARI

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер390В

254⁷³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "LGB8206ARI, Транзистор: IGBT; 390В; 20А; D2PAK; Характеристики: logic level" 1.

LGB8206ATI, Транзистор: IGBT; 390В; 20А; D2PAK; Характеристики: logic level

0.0

КОД:

LGB8206ATI

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер390В

254⁷³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "LGB8206ATI, Транзистор: IGBT; 390В; 20А; D2PAK; Характеристики: logic level" 1.

LGB8207ATH, Транзистор: IGBT; 365В; 20А; 165Вт; D2PAK; ESD

0.0

КОД:

LGB8207ATH

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В

254⁷³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "LGB8207ATH, Транзистор: IGBT; 365В; 20А; 165Вт; D2PAK; ESD" 1.

LGB8207TH, Транзистор: IGBT; 365В; 20А; 165Вт; D2PAK; системы зажигания; ESD

0.0

КОД:

LGB8207TH

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В

254⁷³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "LGB8207TH, Транзистор: IGBT; 365В; 20А; 165Вт; D2PAK; системы зажигания; ESD" 1.

LGD15N41ATI, Транзистор: IGBT; 410В; 15А; 107Вт; DPAK; ESD

0.0

КОД:

LGD15N41ATI

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "LGD15N41ATI, Транзистор: IGBT; 410В; 15А; 107Вт; DPAK; ESD" 1.

LGD18N40ATH, Транзистор: IGBT; 400В; 18А; 115Вт; DPAK; ESD

0.0

КОД:

LGD18N40ATH

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±18В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "LGD18N40ATH, Транзистор: IGBT; 400В; 18А; 115Вт; DPAK; ESD" 1.

LGD18N45TH, Транзистор: IGBT; 450В; 18А; 115Вт; DPAK; системы зажигания; ESD

0.0

КОД:

LGD18N45TH

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±18В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "LGD18N45TH, Транзистор: IGBT; 450В; 18А; 115Вт; DPAK; системы зажигания; ESD" 1.

LGD8201ATI, Транзистор: IGBT; 400В; 20А; 125Вт; DPAK; системы зажигания; ESD

0.0

КОД:

LGD8201ATI

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "LGD8201ATI, Транзистор: IGBT; 400В; 20А; 125Вт; DPAK; системы зажигания; ESD" 1.

LGD8201TH, Транзистор: IGBT; 400В; 20А; 125Вт; DPAK; системы зажигания; ESD

0.0

КОД:

LGD8201TH

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "LGD8201TH, Транзистор: IGBT; 400В; 20А; 125Вт; DPAK; системы зажигания; ESD" 1.

LGD8205ATI, Транзистор: IGBT; 350В; 20А; 125Вт; DPAK; ESD

0.0

КОД:

LGD8205ATI

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "LGD8205ATI, Транзистор: IGBT; 350В; 20А; 125Вт; DPAK; ESD" 1.

LGD8209TI, Транзистор: IGBT; 410В; 12А; 94Вт; DPAK; системы зажигания; ESD

0.0

КОД:

LGD8209TI

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "LGD8209TI, Транзистор: IGBT; 410В; 12А; 94Вт; DPAK; системы зажигания; ESD" 1.

LGS8206AUI, Транзистор: IGBT; 390В; 20А; D2PAK; Характеристики: logic level

0.0

КОД:

LGS8206AUI

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер390В

254⁷³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "LGS8206AUI, Транзистор: IGBT; 390В; 20А; D2PAK; Характеристики: logic level" 1.

MMIX1G120N120A3V1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 105А; 400Вт; SMPD

0.0

КОД:

MMIX1G120N120A3V1

Вид упаковкитуба Время включения105нс Время выключения1365нс Заряд затвора420нC КорпусSMPD

14 643⁹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MMIX1G120N120A3V1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 105А; 400Вт; SMPD" 1.

MMIX1G320N60B3, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 180А; 1кВт; SMPD

0.0

КОД:

MMIX1G320N60B3

Вид упаковкитуба Время включения107нс Время выключения595нс Заряд затвора585нC КорпусSMPD

11 810⁶¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MMIX1G320N60B3, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 180А; 1кВт; SMPD" 1.

MMIX1X100N60B3H1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 68А; 400Вт; SMPD

0.0

КОД:

MMIX1X100N60B3H1

Вид упаковкитуба Время включения92с Время выключения350нс Заряд затвора143нC КорпусSMPD

5 665⁷² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MMIX1X100N60B3H1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 68А; 400Вт; SMPD" 1.

MMIX1X200N60B3, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 120А; 625Вт; SMPD

0.0

КОД:

MMIX1X200N60B3

Вид упаковкитуба Время включения140нс Время выключения395нс Заряд затвора315нC КорпусSMPD

8 894⁸⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MMIX1X200N60B3, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 120А; 625Вт; SMPD" 1.

MMIX1X200N60B3H1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 72А; 520Вт; SMPD

0.0

КОД:

MMIX1X200N60B3H1

Вид упаковкитуба Время включения140нс Время выключения395нс Заряд затвора315нC КорпусSMPD

9 851³³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MMIX1X200N60B3H1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 72А; 520Вт; SMPD" 1.

MMIX1X340N65B4, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 650В; 295А; 1,2кВт; SMPD

0.0

КОД:

MMIX1X340N65B4

Вид упаковкитуба Время включения119нс Время выключения346нс Заряд затвора553нC КорпусSMPD

10 623¹¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MMIX1X340N65B4, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 650В; 295А; 1,2кВт; SMPD" 1.

MMIX1Y100N120C3H1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 40А; 400Вт; SMPD

0.0

КОД:

MMIX1Y100N120C3H1

Вид упаковкитуба Время включения122нс Время выключения265нс Заряд затвора0,27мкC КорпусSMPD

10 311⁵⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MMIX1Y100N120C3H1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 40А; 400Вт; SMPD" 1.

MMIX4B22N300, Транзистор: IGBT x4; BiMOSFET™; 3кВ; 22А; 150Вт; SMPD

0.0

КОД:

MMIX4B22N300

Вид упаковкитуба Время включения743нс Время выключения1,87мкс Заряд затвора110нC КорпусSMPD

22 495²⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MMIX4B22N300, Транзистор: IGBT x4; BiMOSFET™; 3кВ; 22А; 150Вт; SMPD" 1.