Товары из категории транзисторы igbt - страница 38

Производитель
Вид упаковкитуба Время включения51нс Время выключения575нс Заряд затвора147нC КорпусTO247HV
9 034.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYX25N250CV1HV, Транзистор: IGBT; XPT™; 2,5кВ; 25А; 937Вт; TO247HV" 1.

Вид упаковкитуба Время включения49нс Время выключения327нс Заряд затвора150нC КорпусPLUS247™
4 555.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYX30N170CV1, Транзистор: IGBT; XPT™; 1,7кВ; 30А; 937Вт; PLUS247™" 1.

Вид упаковкитуба Время включения43нс Время выключения505нс Заряд затвора0,27мкC КорпусTO247HV
11 373.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYX40N250CHV, Транзистор: IGBT; XPT™; 2,5кВ; 40А; 1,5кВт; TO247HV" 1.

Вид упаковкитуба Время включения786нс Время выключения1128нс Заряд затвора170нC КорпусTO247HV
8 200.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYX40N450HV, Транзистор: IGBT; XPT™; 4,5кВ; 40А; 660Вт; TO247HV" 300.

Вид упаковкитуба Время включения62нс Время выключения396нс Заряд затвора260нC КорпусPLUS247™
4 840.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXYX50N170C, Транзистор: IGBT; XPT™; 1,7кВ; 50А; 1,5кВт; PLUS247™" 1.

Вид упаковкитуба Время включения39нс Время выключения238нс Заряд затвора13,3нC КорпусTO252
670.72 
Доступность: 306 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXYY8N90C3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 900В; 8А; 125Вт; TO252" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В
224.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGB15N41ATI, Транзистор: IGBT; 410В; 15А; 107Вт; D2PAK; ESD" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер440В
203.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGB8202ARI, Транзистор: IGBT; 440В; 20А; D2PAK; Характеристики: logic level" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер390В
235.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGB8206ARI, Транзистор: IGBT; 390В; 20А; D2PAK; Характеристики: logic level" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер390В
235.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGB8206ATI, Транзистор: IGBT; 390В; 20А; D2PAK; Характеристики: logic level" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В
235.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGB8207ATH, Транзистор: IGBT; 365В; 20А; 165Вт; D2PAK; ESD" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В
235.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGB8207TH, Транзистор: IGBT; 365В; 20А; 165Вт; D2PAK; системы зажигания; ESD" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер390В
235.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGS8206AUI, Транзистор: IGBT; 390В; 20А; D2PAK; Характеристики: logic level" 1.

Вид упаковкитуба Время включения105нс Время выключения1365нс Заряд затвора420нC КорпусSMPD
13 596.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1G120N120A3V1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 105А; 400Вт; SMPD" 1.

Вид упаковкитуба Время включения107нс Время выключения595нс Заряд затвора585нC КорпусSMPD
10 966.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1G320N60B3, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 180А; 1кВт; SMPD" 1.

Вид упаковкитуба Время включения92с Время выключения350нс Заряд затвора143нC КорпусSMPD
5 261.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1X100N60B3H1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 68А; 400Вт; SMPD" 1.

Вид упаковкитуба Время включения140нс Время выключения395нс Заряд затвора315нC КорпусSMPD
8 259.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1X200N60B3, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 120А; 625Вт; SMPD" 1.

Вид упаковкитуба Время включения140нс Время выключения395нс Заряд затвора315нC КорпусSMPD
9 148.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1X200N60B3H1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 72А; 520Вт; SMPD" 1.

Вид упаковкитуба Время включения119нс Время выключения346нс Заряд затвора553нC КорпусSMPD
9 863.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1X340N65B4, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 650В; 295А; 1,2кВт; SMPD" 1.

Вид упаковкитуба Время включения122нс Время выключения265нс Заряд затвора0,27мкC КорпусSMPD
9 574.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1Y100N120C3H1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 40А; 400Вт; SMPD" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это силовые полупроводниковые ключи, сочетающие преимущества MOSFET (высокое входное сопротивление, простота управления) и биполярного транзистора (низкое падение напряжения в открытом состоянии).

Идеальны для управления высокими токами и напряжениями в составе инверторов, частотных преобразователей, источников бесперебойного питания, сварочных аппаратов и систем рекуперации.

В каталоге 7-el.ru — IGBT-транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная документация и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж