Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

Транзисторы многоканальные - 983

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
SI1023CX-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -450мА; 220мВт
0.0
SI1023CX-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,5нC КорпусSC89 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1023CX-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -450мА; 220мВт" 1.

SI1023X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -390мА; 280мВт
0.0
SI1023X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1023X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -390мА; 280мВт" 1.

SI1024X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 515мА; 280мВт
0.0
SI1024X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
8715 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1024X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 515мА; 280мВт" 1.

SI1026X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,22А; 0,13Вт; SC89,SOT563
0.0
SI1026X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,6нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
8187 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1026X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,22А; 0,13Вт; SC89,SOT563" 1.

SI1029X-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара
0.0
SI1029X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75/1,7нC КорпусSC89, SOT563
13468 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1029X-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара" 1.

SI1034CX-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,49А; 0,14Вт; SC89,SOT563
0.0
SI1034CX-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
8451 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1034CX-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,49А; 0,14Вт; SC89,SOT563" 1.

SI1036X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 610мА; Idm: 2А
0.0
SI1036X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
6602 ₽
Доступность: 1977 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI1036X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 610мА; Idm: 2А" 1.

SI1539CDL-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 700/-500мА
0.0
SI1539CDL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3/1,5нC КорпусSC70, SOT363 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1539CDL-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 700/-500мА" 1.

SI1553CDL-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 700/-500мА
0.0
SI1553CDL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3/1,8нC КорпусSC70, SOT363 МонтажSMD
10651 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1553CDL-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 700/-500мА" 1.

SI1900DL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 630мА; Idm: 1А
0.0
SI1900DL-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1900DL-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 630мА; Idm: 1А" 1.

SI1900DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 630мА; Idm: 1А
0.0
SI1900DL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1900DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 630мА; Idm: 1А" 1.

SI1902CDL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,9А; 0,27Вт; SC70
0.0
SI1902CDL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSC70 МонтажSMD
6954 ₽
Доступность: 2500 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI1902CDL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,9А; 0,27Вт; SC70" 1.

SI1902DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 660мА; Idm: 1А
0.0
SI1902DL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,8нC КорпусSC70 МонтажSMD
6514 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1902DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 660мА; Idm: 1А" 1.

SI1965DH-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -1,3А; Idm: -3А
0.0
SI1965DH-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1965DH-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -1,3А; Idm: -3А" 1.

SI1965DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -1,3А; Idm: -3А
0.0
SI1965DH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1965DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -1,3А; Idm: -3А" 1.

SI1967DH-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,3А; Idm: -3А
0.0
SI1967DH-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1967DH-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,3А; Idm: -3А" 1.

SI1967DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,3А; Idm: -3А
0.0
SI1967DH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1967DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,3А; Idm: -3А" 1.

SI3439KDWA-TP, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 0,75/-0,6А; Idm: 3А; ESD
0.0
SI3439KDWA-TP
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,8нC КорпусSOT363
2993 ₽
Доступность: 2955 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI3439KDWA-TP, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 0,75/-0,6А; Idm: 3А; ESD" 1.

SI3552DV-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2,5/-1,8А
0.0
SI3552DV-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6/3,2нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
11708 ₽
Доступность: 2873 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI3552DV-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2,5/-1,8А" 1.

SI3552DV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2,5/-1,8А
0.0
SI3552DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6/3,2нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI3552DV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2,5/-1,8А" 1.

SI3585CDV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3,1/-1,7А; 0,9/8Вт
0.0
SI3585CDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,8/9нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
8715 ₽
Доступность: 1275 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI3585CDV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3,1/-1,7А; 0,9/8Вт" 1.

SI3590DV-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 3/-2А; TSOP6
0.0
SI3590DV-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6/4,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI3590DV-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 3/-2А; TSOP6" 1.

SI3590DV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2/-1,3А
0.0
SI3590DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,5/6нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI3590DV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2/-1,3А" 1.

SI3932DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 3,7А; Idm: 15А
0.0
SI3932DV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI3932DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 3,7А; Idm: 15А" 1.

Показать еще 24 товара
Категории