Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы многоканальные

P12LF10SLKD-5071, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 12А; Idm: 36А; 50Вт

0.0

КОД:

P12LF10SLKD-5071

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусLF (MO235B similar) МонтажSMD

‍192‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "P12LF10SLKD-5071, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 12А; Idm: 36А; 50Вт" 1.

PJL9850_R2_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 5,4А; Idm: 20А; 1,7Вт; SOP8

0.0

КОД:

PJL9850-R2

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,4нC КорпусSOP8 МонтажSMD

‍104‍ ₽

Доступность: 5047 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "PJL9850_R2_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 5,4А; Idm: 20А; 1,7Вт; SOP8" 1.

PJQ4848P_R2_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 37А; Idm: 120А; 39,6Вт

0.0

КОД:

PJQ4848P-R2

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍165‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "PJQ4848P_R2_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 37А; Idm: 120А; 39,6Вт" 1.

PJQ5948-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 37А; Idm: 148А; 30Вт

0.0

КОД:

PJQ5948-AU-R2

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍210‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "PJQ5948-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 37А; Idm: 148А; 30Вт" 1.

PJQ5948V-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 35А; Idm: 140А; 32Вт

0.0

КОД:

PJQ5948V-AU-R2

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍220‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "PJQ5948V-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 35А; Idm: 140А; 32Вт" 1.

PJS6601_S1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 4,1/-3,1А; 1,25Вт

0.0

КОД:

PJS6601-S1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,6/5,4нC КорпусSOT23-6 МонтажSMD

‍68‍ ₽

Доступность: 2688 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "PJS6601_S1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 4,1/-3,1А; 1,25Вт" 1.

PJS6816_S1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5,2А; Idm: 20,8А; 1,25Вт

0.0

КОД:

PJS6816-S1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

‍81‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "PJS6816_S1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5,2А; Idm: 20,8А; 1,25Вт" 1.

PJS6839_S1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт

0.0

КОД:

PJS6839-S1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,1нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍58‍ ₽

Доступность: 2949 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "PJS6839_S1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт" 1.

PJT138K-AU_R1_000A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 360мА; Idm: 1,2А; 236мВт

0.0

КОД:

PJT138K-AU-R1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC КорпусSOT363 МонтажSMD

‍46‍ ₽

Доступность: 3000 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "PJT138K-AU_R1_000A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 360мА; Idm: 1,2А; 236мВт" 1.

PJT7600_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт

0.0

КОД:

PJT7600-R1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/2,2нC КорпусSOT363 МонтажSMD

‍98‍ ₽

Доступность: 2695 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "PJT7600_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт" 1.

PJT7600_S1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363

0.0

КОД:

PJT7600-S1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT363 МонтажSMD Обозначение производителяPJT7600_S1_00001

‍46‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "PJT7600_S1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363" 1.

PJT7603_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; -250/400мА; 350мВт

0.0

КОД:

PJT7603-R1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,95/1,1нC КорпусSOT363 МонтажSMD

‍47‍ ₽

Доступность: 2880 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "PJT7603_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; -250/400мА; 350мВт" 1.

PJT7605-AU_R1_000A1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363

0.0

КОД:

PJT7605-AU-R1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT363 МонтажSMD Обозначение производителяPJT7605-AU_R1_000A1

‍150‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "PJT7605-AU_R1_000A1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363" 1.

PJT7800_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1А; Idm: 4А; 350мВт; SOT363

0.0

КОД:

PJT7800-R1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6нC КорпусSOT363 МонтажSMD

‍61‍ ₽

Доступность: 5978 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "PJT7800_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1А; Idm: 4А; 350мВт; SOT363" 1.

PJT7801_R1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -700мА; Idm: -2,8А; 350мВт

0.0

КОД:

PJT7801-R1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусSOT363 МонтажSMD

‍80‍ ₽

Доступность: 2845 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "PJT7801_R1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -700мА; Idm: -2,8А; 350мВт" 1.

PJT7828_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 350мВт

0.0

КОД:

PJT7828-R1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,9нC КорпусSOT363 МонтажSMD

‍61‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "PJT7828_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 350мВт" 1.

PJT7838_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 400мА; Idm: 1,2А; 350мВт

0.0

КОД:

PJT7838-R1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,95нC КорпусSOT363 МонтажSMD

‍79‍ ₽

Доступность: 7648 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "PJT7838_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 400мА; Idm: 1,2А; 350мВт" 1.

PJX138K_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт

0.0

КОД:

PJX138K-R1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC КорпусSOT563 МонтажSMD

‍46‍ ₽

Доступность: 3935 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "PJX138K_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт" 1.

PJX138L_R1_00002, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; SOT563

0.0

КОД:

PJX138L-R1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT563 МонтажSMD Обозначение производителяPJX138L_R1_00002

‍84‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "PJX138L_R1_00002, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; SOT563" 1.

PJX8603_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; 360/-200мА; 300мВт

0.0

КОД:

PJX8603-R1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,95/1,1нC КорпусSOT563 МонтажSMD

‍54‍ ₽

Доступность: 1927 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "PJX8603_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; 360/-200мА; 300мВт" 1.

PMDXB950UPEZ, Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -20В; -300мА; Idm: -2А

0.0

КОД:

PMDXB950UPEZ

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусDFN1010B-6, SOT1216

‍81‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "PMDXB950UPEZ, Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -20В; -300мА; Idm: -2А" 1.

PMGD280UN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,55А; 400мВт

0.0

КОД:

PMGD280UN.115

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,89нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6 МонтажSMD

‍44‍ ₽

Доступность: 2678 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "PMGD280UN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,55А; 400мВт" 1.

PMGD290UCEAX, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В

0.0

КОД:

PMGD290UCEAX

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,68/1,14нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6

‍74‍ ₽

Доступность: 1155 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "PMGD290UCEAX, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

PMGD290XN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой

0.0

КОД:

PMGD290XN.115

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяPMGD290XN,115 Полярностьполевой

‍55‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "PMGD290XN,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой" 1.