Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы многоканальные

SI1024X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 515мА; 280мВт

0.0

КОД:

SI1024X-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD

‍143‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI1024X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 515мА; 280мВт" 1.

SI1026X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,22А; 0,13Вт; SC89,SOT563

0.0

КОД:

SI1026X-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,6нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD

‍126‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI1026X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,22А; 0,13Вт; SC89,SOT563" 1.

SI1029X-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара

0.0

КОД:

SI1029X-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75/1,7нC КорпусSC89, SOT563

‍125‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI1029X-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара" 1.

SI1034CX-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,49А; 0,14Вт; SC89,SOT563

0.0

КОД:

SI1034CX-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD

‍71‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI1034CX-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,49А; 0,14Вт; SC89,SOT563" 1.

SI1036X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 610мА; Idm: 2А

0.0

КОД:

SI1036X-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD

‍70‍ ₽

Доступность: 1977 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI1036X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 610мА; Idm: 2А" 1.

SI1553CDL-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 700/-500мА

0.0

КОД:

SI1553CDL-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3/1,8нC КорпусSC70, SOT363 МонтажSMD

‍99‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI1553CDL-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 700/-500мА" 1.

SI1902CDL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,9А; 0,27Вт; SC70

0.0

КОД:

SI1902CDL-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSC70 МонтажSMD

‍71‍ ₽

Доступность: 2500 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI1902CDL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,9А; 0,27Вт; SC70" 1.

SI1902DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 660мА; Idm: 1А

0.0

КОД:

SI1902DL-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,8нC КорпусSC70 МонтажSMD

‍66‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI1902DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 660мА; Idm: 1А" 3.

SI3439KDWA-TP, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 0,75/-0,6А; Idm: 3А; ESD

0.0

КОД:

SI3439KDWA-TP

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,8нC КорпусSOT363

‍67‍ ₽

Доступность: 2944 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI3439KDWA-TP, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 0,75/-0,6А; Idm: 3А; ESD" 1.

SI3552DV-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2,5/-1,8А

0.0

КОД:

SI3552DV-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6/3,2нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

‍198‍ ₽

Доступность: 2873 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI3552DV-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2,5/-1,8А" 1.

SI3585CDV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3,1/-1,7А; 0,9/8Вт

0.0

КОД:

SI3585CDV-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,8/9нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

‍132‍ ₽

Доступность: 1275 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI3585CDV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3,1/-1,7А; 0,9/8Вт" 1.

SI4228DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 8А; Idm: 50А; 2Вт

0.0

КОД:

SI4228DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍188‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4228DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 8А; Idm: 50А; 2Вт" 1.

SI4288DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7,4А; 3,1Вт; SO8

0.0

КОД:

SI4288DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,9нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍149‍ ₽

Доступность: 4402 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI4288DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7,4А; 3,1Вт; SO8" 1.

SI4532CDY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 4,9/-3,4А

0.0

КОД:

SI4532CDY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9/12нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍117‍ ₽

Доступность: 2334 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI4532CDY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 4,9/-3,4А" 1.

SI4554DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 8/-8А; SO8

0.0

КОД:

SI4554DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63/20нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍134‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4554DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 8/-8А; SO8" 1.

SI4559ADY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60/-60В; 4,3/-3,2А

0.0

КОД:

SI4559ADY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20/22нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍197‍ ₽

Доступность: 1995 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI4559ADY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60/-60В; 4,3/-3,2А" 5.

SI4590DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 4,5/-2,7А; 2,3/2,7Вт

0.0

КОД:

SI4590DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4/11,6нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍139‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4590DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 4,5/-2,7А; 2,3/2,7Вт" 1.

SI4599DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 6,8/-5,8А

0.0

КОД:

SI4599DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38/20нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍188‍ ₽

Доступность: 632 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI4599DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 6,8/-5,8А" 1.

SI4925BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,7А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

SI4925BDY-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍246‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4925BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,7А; 2Вт; SO8" 1.

SI4925DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,9А; 5Вт; SO8

0.0

КОД:

SI4925DDY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍247‍ ₽

Доступность: 298 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI4925DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,9А; 5Вт; SO8" 1.

SI4936CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,6А; Idm: 20А

0.0

КОД:

SI4936CDY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍164‍ ₽

Доступность: 2921 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI4936CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,6А; Idm: 20А" 1.

SI4946BEY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8

0.0

КОД:

SI4946BEY-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍280‍ ₽

Доступность: 20 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI4946BEY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8" 1.

SI4946BEY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8

0.0

КОД:

SI4946BEY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍310‍ ₽

Доступность: 59 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI4946BEY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8" 5.

SI4963BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

SI4963BDY-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍236‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4963BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; 2Вт; SO8" 1.