Товары из категории транзисторы многоканальные - страница 25

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9/12нC КорпусSO8
139.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDS9934C, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSO8 МонтажSMD
107.03 
Доступность: 324 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDS9945, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусSO8 МонтажSMD
74.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDS9958, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -2,9А; 2Вт; SO8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F МонтажSMD
105.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDY1002PZ, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,83А; 0,625Вт; SOT563F" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности66нс Заряд затвора178нC Конструкция диодадва последовательных диода
4 088.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FMM150-0075X2F, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchT2™; полевой; 75В; 120А; Idm: 500А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора50нC Конструкция диодадва последовательных диода
4 792.05 
Доступность: 23 шт.
 

Минимальное количество для товара "FMM22-05PF, Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; полевой; 500В; 13А; Idm: 55А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора58нC Конструкция диодадва последовательных диода
4 353.21 
Доступность: 25 шт.
 

Минимальное количество для товара "FMM22-06PF, Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; полевой; 600В; 12А; Idm: 66А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности84нс Заряд затвора78нC Конструкция диодадва последовательных диода
4 349.39 
Доступность: 25 шт.
 

Минимальное количество для товара "FMM50-025TF, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 250В; 30А; Idm: 130А; 84нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности300нс Заряд затвора180нC Конструкция диодадва последовательных диода
4 531.35 
Доступность: 25 шт.
 

Минимальное количество для товара "FMM75-01F, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 75А; 300нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC КорпусSO8 МонтажSMD
220.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQS4901TF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 400В; 0,45А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Конструкция диодаобщий сток КорпусHSOP8
255.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8KA1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 14А; Idm: 28А; 3Вт; HSOP8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,3/38нC
97.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8M31TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15/26,2нC КорпусHSOP8 МонтажSMD
78.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8M51TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 4,5/-4,5А; Idm: 18А" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/25нC КорпусHSOP8 МонтажSMD
301.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8MA2TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 18/-15А; Idm: 48А; 7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,1/20,2C КорпусuDFN8 МонтажSMD
148.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HS8K11TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7/11А; Idm: 28÷44А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6/7,4нC КорпусuDFN8 МонтажSMD
128.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HS8K1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 10/11А; Idm: 40÷44А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора28нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
292.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPG20N04S408ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 65Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора21,7нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
151.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPG20N04S409ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 54Вт" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток40В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPG20N04S4L11ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; Idm: 80А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток100В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPG20N10S4L35ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 100В; 17А; Idm: 80А" 1.

Показать еще 20 товаров

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж