Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы многоканальные

SI5935CDC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; ChipFET

0.0

КОД:

SI5935CDC-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусChipFET МонтажSMD

‍132‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI5935CDC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; ChipFET" 1.

SI6926ADQ-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 3,6А; 1Вт; TSSOP8

0.0

КОД:

SI6926ADQ-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD

‍260‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI6926ADQ-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 3,6А; 1Вт; TSSOP8" 1.

SI6926ADQ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 20А

0.0

КОД:

SI6926ADQ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD

‍115‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI6926ADQ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 20А" 1.

SI7288DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 20А; Idm: 50А

0.0

КОД:

SI7288DP-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

‍263‍ ₽

Доступность: 2349 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI7288DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 20А; Idm: 50А" 1.

SI7540ADP-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 12/-9А

0.0

КОД:

SI7540ADP-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48/27нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

‍389‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI7540ADP-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 12/-9А" 1.

SI7938DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 80А

0.0

КОД:

SI7938DP-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

‍284‍ ₽

Доступность: 2814 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI7938DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 80А" 1.

SI7997DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; 46Вт

0.0

КОД:

SI7997DP-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

‍480‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI7997DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; 46Вт" 1.

SI9926CDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 6,7А; 3,1Вт; SO8

0.0

КОД:

SI9926CDY-E3

Вид каналаобогащенный Заряд затвора33нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

‍211‍ ₽

Доступность: 738 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI9926CDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 6,7А; 3,1Вт; SO8" 1.

SIA517DJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А

0.0

КОД:

SIA517DJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20/15нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

‍152‍ ₽

Доступность: 2722 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SIA517DJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А" 1.

SIA519EDJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4,5/-4,5А

0.0

КОД:

SIA519EDJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16/12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

‍55‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIA519EDJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4,5/-4,5А" 3000.

SIA527DJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А

0.0

КОД:

SIA527DJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26/15нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

‍39‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIA527DJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А" 3000.

SIA533EDJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А

0.0

КОД:

SIA533EDJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20/15нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

‍59‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIA533EDJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А" 3000.

SIA537EDJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-20В; 4,5/-4,5А

0.0

КОД:

SIA537EDJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25/16нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

‍48‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIA537EDJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-20В; 4,5/-4,5А" 3000.

SIA906EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 15А

0.0

КОД:

SIA906EDJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

‍51‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIA906EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 15А" 3000.

SIA910EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 12В; 4,5А; Idm: 20А

0.0

КОД:

SIA910EDJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

‍55‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIA910EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 12В; 4,5А; Idm: 20А" 3000.

SIA913ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -4,5А; 6,5Вт

0.0

КОД:

SIA913ADJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

‍49‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIA913ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -4,5А; 6,5Вт" 3000.

SIA918EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 15А

0.0

КОД:

SIA918EDJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

‍39‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIA918EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 15А" 3000.

SIA923AEDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А; 7,8Вт

0.0

КОД:

SIA923AEDJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

‍59‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIA923AEDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А; 7,8Вт" 3000.

SIA923EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А; 7,8Вт

0.0

КОД:

SIA923EDJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

‍57‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIA923EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А; 7,8Вт" 3000.

SIA928DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 30А

0.0

КОД:

SIA928DJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В

‍41‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIA928DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 30А" 3000.

SIA938DJT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 30А

0.0

КОД:

SIA938DJT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,5нC МонтажSMD Напряжение сток-исток20В

‍48‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIA938DJT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 30А" 3000.

SIL2301-TP, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -2,3А; Idm: -10А; 1,25Вт

0.0

КОД:

SIL2301-TP

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23-6

‍70‍ ₽

Доступность: 1790 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SIL2301-TP, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -2,3А; Idm: -10А; 1,25Вт" 1.

SIL2308-TP, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5/-4А; 1Вт; SOT23-6; ESD

0.0

КОД:

SIL2308-TP

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11/12нC КорпусSOT23-6

‍50‍ ₽

Доступность: 315 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SIL2308-TP, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5/-4А; 1Вт; SOT23-6; ESD" 1.

SIR770DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А

0.0

КОД:

SIR770DP-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

‍129‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIR770DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А" 3000.