Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы многоканальные

SIRB40DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 40А; Idm: 100А

0.0

КОД:

SIRB40DP-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

‍241‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIRB40DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 40А; Idm: 100А" 1.

SIS932EDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 40А

0.0

КОД:

SIS932EDN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍60‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIS932EDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 40А" 1.

SIS990DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 9,7А; Idm: 20А

0.0

КОД:

SIS990DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍188‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIS990DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 9,7А; Idm: 20А" 1.

SISB46DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 27,3А; Idm: 70А

0.0

КОД:

SISB46DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍191‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SISB46DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 27,3А; Idm: 70А" 1.

SISF00DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 120А

0.0

КОД:

SISF00DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍312‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SISF00DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 120А" 1.

SISF02DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 140А

0.0

КОД:

SISF02DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍309‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SISF02DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 140А" 1.

SISF06DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 81А; Idm: 190А

0.0

КОД:

SISF06DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍224‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SISF06DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 81А; Idm: 190А" 1.

SISF20DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 41А; Idm: 100А

0.0

КОД:

SISF20DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍380‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SISF20DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 41А; Idm: 100А" 1.

SIZ200DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 61А; Idm: 130А

0.0

КОД:

SIZ200DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30/28нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В

‍102‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ200DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 61А; Idm: 130А" 3000.

SIZ240DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 48А; Idm: 100А

0.0

КОД:

SIZ240DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/23нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В

‍131‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ240DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 48А; Idm: 100А" 3000.

SIZ250DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 38А; Idm: 80А

0.0

КОД:

SIZ250DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍121‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ250DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 38А; Idm: 80А" 3000.

SIZ256DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 70В; 31,8А; Idm: 60А

0.0

КОД:

SIZ256DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

‍124‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ256DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 70В; 31,8А; Idm: 60А" 3000.

SIZ260DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 80В; 24,7А; Idm: 60А

0.0

КОД:

SIZ260DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍121‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ260DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 80В; 24,7А; Idm: 60А" 3000.

SIZ270DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 19,5А; Idm: 40А

0.0

КОД:

SIZ270DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍146‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ270DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 19,5А; Idm: 40А" 3000.

SIZ300DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 28/11А

0.0

КОД:

SIZ300DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍121‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ300DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 28/11А" 3000.

SIZ320DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 30/40А

0.0

КОД:

SIZ320DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15/26,7нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В

‍86‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ320DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 30/40А" 3000.

SIZ322DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 30А; Idm: 100А

0.0

КОД:

SIZ322DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,1нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В

‍80‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ322DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 30А; Idm: 100А" 3000.

SIZ340ADT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 33,4/69,7А

0.0

КОД:

SIZ340ADT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27,9/12,2нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В

‍78‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ340ADT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 33,4/69,7А" 3000.

SIZ340BDT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 36/69,3А

0.0

КОД:

SIZ340BDT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,5/12,6нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В

‍65‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ340BDT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 36/69,3А" 3000.

SIZ340DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30/40А

0.0

КОД:

SIZ340DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19/35нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В

‍77‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ340DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30/40А" 3000.

SIZ342ADT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 33,4А; Idm: 100А

0.0

КОД:

SIZ342ADT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,2нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В

‍78‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ342ADT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 33,4А; Idm: 100А" 3000.

SIZ342DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А

0.0

КОД:

SIZ342DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В

‍93‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ342DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А" 3000.

SIZ346DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 17/30А

0.0

КОД:

SIZ346DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10/20нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍66‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ346DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 17/30А" 3000.

SIZ348DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А

0.0

КОД:

SIZ348DT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,2нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В

‍118‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIZ348DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А" 3000.