Товары из категории транзисторы многоканальные , стр.4

Производитель
Вид каналаобогащенный Заряд затвора6нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
67.28 
Доступность: 1917 шт.
 

Минимальное количество для товара "AO9926C, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8" 3.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора9,5нC КорпусDFN4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
31.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AOC2804, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 4А; 700мВт; DFN4" 3000.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9,5нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN4
50.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AOC2804B, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,3Вт; DFN4; общий сток; ESD" 3.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора12,5нC КорпусDFN4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
58.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AOC2806, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 4,5А; 700мВт; DFN4" 3.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора44нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN6
154.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AOC3860A, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 12В; 2,5Вт; DFN6; общий сток; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN6
87.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AOC3862, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 12В; 2,5Вт; DFN6; общий сток; ESD" 5000.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора35нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN6
65.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AOC3868, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 12В; 2,5Вт; DFN6; общий сток; ESD" 5000.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора32нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN10
80.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AOC3870A, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 12В; 2,3Вт; DFN10; общий сток" 8000.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора60нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN10
82.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AOC3878, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 12В; 3,1Вт; DFN10; общий сток" 5000.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора18нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN6
85.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AOCA24106E, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 12В; 2,7Вт; DFN6; общий сток; ESD" 8000.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора15нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN6
60.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AOCA24108E, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 12В; 2,2Вт; DFN6; общий сток; ESD" 8000.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора35нC Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AOCA36116C, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 24В; 3,1Вт; DFN; общий сток; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Заряд затвора3,8/7,4нC Конструкция диодаобщий сток КорпусTO252-4
170.49 
Доступность: 515 шт.
 

Минимальное количество для товара "AOD603A, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Заряд затвора6,7нC Конструкция диодаобщий сток КорпусTO252-4
139.91 
Доступность: 1806 шт.
 

Минимальное количество для товара "AOD607A, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Заряд затвора8,3/16,2нC Конструкция диодаобщий сток КорпусTO252-4
139.91 
Доступность: 787 шт.
 

Минимальное количество для товара "AOD609, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 40/-40В" 1.

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAOD609G Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
44.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AOD609G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 2500.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора15нC Конструкция диодаасимметричная КорпусDFN5x6 МонтажSMD
316.51 
Доступность: 165 шт.
 

Минимальное количество для товара "AOE6930, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 22/85А; 9,6/30Вт; DFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора30нC Конструкция диодаасимметричная КорпусDFN5x6 МонтажSMD
210.24 
Доступность: 2216 шт.
 

Минимальное количество для товара "AOE6932, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 55/85А; 9,6/20Вт; DFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора15нC Конструкция диодаасимметричная КорпусDFN5x6 МонтажSMD
110.09 
Доступность: 1514 шт.
 

Минимальное количество для товара "AOE6936, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 35/67А; 9,6/15Вт; DFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора2,6нC КорпусDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
31.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AON2802, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1,6А; 1,3Вт; DFN6" 3000.

Показать еще 20 товаров

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж