Товары из категории транзисторы многоканальные, стр.9

Производитель

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
CSD85301Q2T
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWSON6 МонтажSMD
231.62 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD85301Q2T, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5А; Idm: 26А; 2,3Вт; WSON6" 1.

0.0
CSD85302LT
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаобщий сток КорпусPICOSTAR4
269.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD85302LT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,7Вт; PICOSTAR4; ESD" 1.

0.0
CSD87335Q3DT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,7/10,7нC КорпусLSON-CLIP8 МонтажSMD
292.49 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD87335Q3DT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 25А; 1,5Вт; LSON-CLIP8" 1.

0.0
CSD88537NDT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSO8 МонтажSMD
303.56 
Доступность: 214 шт.
+

Минимальное количество для товара "CSD88537NDT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8" 1.

0.0
CSD88539NDT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2нC КорпусSO8 МонтажSMD
217.39 
Доступность: 388 шт.
+

Минимальное количество для товара "CSD88539NDT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8" 1.

0.0
DI003N03SQ2-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,5нC КорпусSO8 МонтажSMD
99.60 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI003N03SQ2, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3А; Idm: 9А; 1,6Вт; SO8" 1.

0.0
DI005C04PTK-AQ-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,6нC КорпусQFN3X3
107.51 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI005C04PTK-AQ, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 40/-40В; 5/-4А; Idm: 20÷-16А; ESD" 1.

0.0
DI005C04PTK-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,6нC КорпусQFN3X3
111.46 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI005C04PTK, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 40/-40В; 5/-4А; Idm: 20÷-16А; ESD" 1.

0.0
DI005N06SQ2-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD
138.34 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI005N06SQ2, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,1А; Idm: 30А; 1,3Вт; SO8" 1.

0.0
DI008C04PT-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
124.90 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI008C04PT, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 40/-40В; 8/-5,5А; Idm: 32÷-22А" 1.

0.0
DI018C03PT-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12/20нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
48.22 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI018C03PT, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 17/-11А; Idm: 120÷-80А" 3.

0.0
DI028N10PQ2-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусQFN5x6 МонтажSMD
546.25 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI028N10PQ2, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 18А; Idm: 130А; 32,7Вт" 1.

0.0
DI035N06PQ2-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,6нC КорпусQFN5x6 МонтажSMD
109.88 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI035N06PQ2-AQ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 20А; Idm: 110А; 35,7Вт" 1.

0.0
DI038N04PQ2-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусQFN5x6 МонтажSMD
133.60 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI038N04PQ2-AQ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 24А; Idm: 160А; 31Вт; QFN5x6" 1.

0.0
DI038N04PQ2-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусQFN5x6 МонтажSMD
126.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI038N04PQ2, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 24А; Idm: 160А; 31Вт; QFN5x6" 1.

0.0
DI048N04PQ2-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусQFN5x6 МонтажSMD
207.11 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI048N04PQ2-AQ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 30А; Idm: 200А; 22,7Вт" 1.

0.0
DI048N04PQ2-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусQFN5x6 МонтажSMD
109.88 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI048N04PQ2, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 30А; Idm: 200А; 22,7Вт" 1.

0.0
DI050N06PQ2-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36,4нC КорпусQFN5x6 МонтажSMD
940.71 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI050N06PQ2-AQ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 35А; Idm: 280А; 40,5Вт" 1.

0.0
DI0A4N45SQ2-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусSO8 МонтажSMD
134.39 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI0A4N45SQ2, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 450В; 0,4А; Idm: 1,6А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
DI2A8N03PWK2-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC КорпусQFN2X2
103.56 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI2A8N03PWK2, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3А; Idm: 12А; 1,4Вт; QFN2X2" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (20)