Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 105

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток100В
77.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7452TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 4,5А; 2,5Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
87.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7456TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 16А; 2,5Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
86.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7457TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 16А; 2,5Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток150В
49.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7465TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 1,9А; 2,5Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7470TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 11А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток12В
52.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7476TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 15А; 2,5Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
34.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7601TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,7А; 1,8Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
32.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7607TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 6,5А; 1,8Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный КорпусDirectFET МонтажSMD Напряжение сток-исток40В Обозначение производителяIRF7739L1TRPBF
401.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7739L1TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 270А; 125Вт; DirectFET" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусDirectFET МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
461.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7739L2TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 270А; 125Вт; DirectFET" 4000.

Вид каналаобогащенный КорпусDirectFET МонтажSMD Напряжение сток-исток60В Обозначение производителяIRF7748L1TRPBF
464.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7748L1TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 28А; 3,3Вт; DirectFET" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусDirectFET МонтажSMD Напряжение сток-исток60В
511.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7749L2TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 33А; 125Вт; DirectFET" 4000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора200нC КорпусDirectFET МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
464.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7759L2TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 26А; 125Вт; DirectFET" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусDirectFET МонтажSMD Напряжение сток-исток100В
479.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7769L2TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 124А; 125Вт; DirectFET" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
86.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7805TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13А; 2,5Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
64.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7805ZTRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 16А; 2,5Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
53.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7807VTRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8,3А; 2,5Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
48.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7807ZTRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
162.43 
Доступность: 3873 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF7832TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 20А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
252.25 
Доступность: 1348 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF7842TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж