Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 113

Производитель
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
185.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN3525N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,3А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
193.43 
Доступность: 1629 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN3535N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
246.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN3545N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 450В; 0,2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN3765K4-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 0,2А; 2,5Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
1 087.92 
Доступность: 640 шт.
 

Минимальное количество для товара "FCB070N65S3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 44А; 312Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусD2PAK МонтажSMD
417.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCB11N60TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 33А; 125Вт; D2PAK" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
975.54 
Доступность: 695 шт.
 

Минимальное количество для товара "FCB20N60FTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12,5А; 208Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора98нC КорпусD2PAK МонтажSMD
688.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCB20N60TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12,5А; 208Вт; D2PAK" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCB290N80, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 17А; 212Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусDPAK МонтажSMD
175.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCD3400N80Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,2А; Idm: 4А; 32Вт; DPAK" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
238.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCD380N60E, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6,4А; 106Вт; DPAK" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
366.97 
Доступность: 2462 шт.
 

Минимальное количество для товара "FCD4N60TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,5А; 50Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусDPAK МонтажSMD
288.99 
Доступность: 2487 шт.
 

Минимальное количество для товара "FCD5N60TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,9А; 54Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
133.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCD7N60TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,4А; 83Вт; DPAK" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусDPAK МонтажSMD
334.86 
Доступность: 2300 шт.
 

Минимальное количество для товара "FCD900N60Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3,5А; Idm: 13,5А; 52Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусPower88 МонтажSMD
452.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCMT299N60, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,9А; Idm: 36А; 125Вт; Power88" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора249нC КорпусD2PAK-6 МонтажSMD
884.56 
Доступность: 778 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDB0190N807L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 190А; Idm: 1440А; 250Вт; D2PAK-6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора226нC КорпусD2PAK МонтажSMD
548.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDB024N06, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 190А; Idm: 1060А; 395Вт; D2PAK" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора178нC КорпусD2PAK МонтажSMD
480.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDB024N08BL7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 162А; Idm: 916А; 246Вт; D2PAK" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора124нC КорпусD2PAK МонтажSMD
866.21 
Доступность: 161 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDB035AN06A0, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; 310Вт; D2PAK" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж