Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.127

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
MCB60P1200TLB-TUB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора161нC Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSMPD-B
62 564.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB60P1200TLB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 62А; SMPD-B" 1.

0.0
MCH3474-TL-W
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусMCPH3 МонтажSMD
49.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCH3474-TL-W, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; 1Вт; MCPH3; ESD" 3.

0.0
MCU04N60-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусDPAK МонтажSMD
142.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCU04N60-TP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; DPAK" 1.

0.0
MGSF1N02LT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
63.24 
Доступность: 186 шт.
 

Минимальное количество для товара "MGSF1N02LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,75А; 0,4Вт; SOT23" 1.

0.0
MGSF2N02ELT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
63.24 
Доступность: 1955 шт.
 

Минимальное количество для товара "MGSF2N02ELT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,8А; 1,25Вт; SOT23" 1.

0.0
MKE38RK600DFELB
Вид каналаобогащенный Время готовности50нс Заряд затвора0,19мкC Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD
4 633.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MKE38RK600DFELB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 50А; SMPD; диод/транзистор" 1.

0.0
MMBF0201NLT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
36.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMBF0201NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,24А; 0,225Вт; SOT23" 1.

0.0
MMBF170-7-F
Вид каналаобогащенный Вид упаковкикатушка 7 дюймов, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
36.36 
Доступность: 6401 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBF170-7-F, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; Idm: 0,8А; 0,3Вт; SOT23" 1.

0.0
MMBF170
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
37.94 
Доступность: 512 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBF170, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; 0,3Вт; SOT23" 1.

0.0
MMBF170LT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
29.25 
Доступность: 8922 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBF170LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23" 1.

0.0
MMBF2201NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
48.22 
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBF2201NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 240мА; Idm: 750А; 150мВт" 1.

0.0
MMBF4117
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-40В Обозначение производителяMMBF4117
94.07 
Доступность: 2045 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBF4117, Транзистор: N-JFET; полевой; 30мкА; 225мВт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

0.0
MMBF4391LT1G
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-30В Напряжение сток-исток30В
67.19 
Доступность: 651 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBF4391LT1G, Транзистор: N-JFET; полевой; 30В; 50мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

0.0
MMBF4392LT1G
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-30В Напряжение сток-исток30В
58.50 
Доступность: 1990 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBF4392LT1G, Транзистор: N-JFET; полевой; 30В; 25мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

0.0
MMBF5103
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-40В Обозначение производителяMMBF5103
56.92 
Доступность: 2965 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBF5103, Транзистор: N-JFET; полевой; 10мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

0.0
MMBFJ108
Вид упаковкибобина, лента КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-25В Обозначение производителяMMBFJ108
77.47 
Доступность: 1558 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ108, Транзистор: N-JFET; полевой; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА" 1.

0.0
MMBFJ110
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-25В Обозначение производителяMMBFJ110
98.02 
Доступность: 2990 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ110, Транзистор: N-JFET; полевой; 10мА; 0,46Вт; SOT23; Igt: 10мА" 1.

0.0
MMBFJ111
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-35В Обозначение производителяMMBFJ111
70.36 
Доступность: 592 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ111, Транзистор: N-JFET; полевой; 20мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

0.0
MMBFJ112
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-35В Обозначение производителяMMBFJ112
65.61 
Доступность: 3101 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ112, Транзистор: N-JFET; полевой; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

0.0
MMBFJ113
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-35В Обозначение производителяMMBFJ113
60.08 
Доступность: 3237 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ113, Транзистор: N-JFET; полевой; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж