Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.141

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SIDR610DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
390.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR610DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 39,6А; Idm: 80А" 3000.

0.0
SIDR610DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
270.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR610DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 39,6А; Idm: 80А" 3000.

0.0
SIDR622DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
314.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR622DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 56,7А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIDR622DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
270.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR622DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 56,7А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIDR626DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
336.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR626DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 100А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIDR626LDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
313.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR626LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 204А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIDR626LEP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
373.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR626LEP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 218А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIDR638DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора204нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
279.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR638DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

0.0
SIDR638DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора204нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
279.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR638DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

0.0
SIDR668ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
267.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR668ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 104А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIDR668DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора108нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
298.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR668DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 95А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIDR680ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
268.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR680ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 137А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIDR680DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
328.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR680DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 100А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIDR870ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
210.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR870ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 95А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIE802DF-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
366.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE802DF-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIE808DF-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора155нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
395.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE808DF-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 60А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIE812DF-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора170нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
328.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE812DF-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIE812DF-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора170нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
328.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE812DF-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIE818DF-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
507.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE818DF-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 75В; 60А; Idm: 80А; 125Вт" 3000.

0.0
SIE818DF-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
425.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE818DF-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 75В; 60А; Idm: 80А; 125Вт" 3000.

0.0
SIE822DF-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора78нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
319.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE822DF-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 50А; Idm: 80А; 104Вт" 3000.

0.0
SIHB053N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора92нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
983.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB053N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 47А; Idm: 128А; 278Вт" 1.

0.0
SIHB065N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора74нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
1 007.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB065N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 25А; Idm: 116А; 250Вт" 1.

0.0
SIHB068N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
934.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB068N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 26А; Idm: 115А; 250Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж