SIHB068N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 26А; Idm: 115А; 250Вт

SIHB068N60EF-GE3

Срок поставки 4-6 недель

1 107.33 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
15+
Цена
775.98 ₽
774.28 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIHB068N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 26А; Idm: 115А; 250Вт" 1.

Артикул производителя
SIHB068N60EF-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
77нC
Код производителя
SIHB068N60EF-GE3
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
600В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
250Вт
Сопротивление в открытом состоянии
68мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
26А
Ток стока в импульсном режиме
115А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России