Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.160

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
RU1L002SNTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323F МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
40.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RU1L002SNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 200мВт; SOT323F" 1.

0.0
RUC002N05HZGT116
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSST3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
31.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUC002N05HZGT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 800А; 350мВт; SST3" 1.

0.0
RUC002N05T116
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSST3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
38.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUC002N05T116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 800А; 350мВт; SST3" 1.

0.0
RUF015N02TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,8нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
80.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUF015N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 3А; 800мВт; TUMT3" 1.

0.0
RUF020N02TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
87.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUF020N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2А; Idm: 6А; 800мВт; TUMT3" 1.

0.0
RUF025N02FRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
91.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUF025N02FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,5А; Idm: 5А; 800мВт; TUMT3" 1.

0.0
RUF025N02TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
86.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUF025N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,5А; Idm: 5А; 800мВт; TUMT3" 1.

0.0
RUM001L02T2CL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD
41.90 
Доступность: 14099 шт.
 

Минимальное количество для товара "RUM001L02T2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,1А; Idm: 0,4А; 150мВт; SOT723" 1.

0.0
RUM002N02T2L
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD
49.80 
Доступность: 4976 шт.
 

Минимальное количество для товара "RUM002N02T2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 150мВт; SOT723" 1.

0.0
RUM002N05T2L
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD
53.75 
Доступность: 8290 шт.
 

Минимальное количество для товара "RUM002N05T2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 150мВт; SOT723" 1.

0.0
RUQ050N02FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
50.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUQ050N02FRATR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5А; Idm: 10А; 1,25Вт; TSMT6" 3.

0.0
RUR020N02TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
119.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUR020N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2А; Idm: 6А; 1Вт; TSMT3" 1.

0.0
RUR040N02FRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
148.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUR040N02FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3" 1.

0.0
RUR040N02TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
143.87 
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "RUR040N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3" 1.

0.0
RV1C002UNT2CL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусX2-DFN0806-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
27.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV1C002UNT2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 150мА; Idm: 0,6А; 100мВт" 1.

0.0
RV2C002UNT2L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN1006-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
49.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV2C002UNT2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 180мА; Idm: 0,6А; 100мВт" 1.

0.0
RV2C010UNT2L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN1006-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
64.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV2C010UNT2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1А; Idm: 2А; 400мВт; DFN1006-3" 1.

0.0
RV3C002UNT2CL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусX2-DFN0604-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
68.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV3C002UNT2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 150мА; Idm: 600А; 100мВт" 1.

0.0
RV8L002SNHZGG2CR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN1010-3W МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
81.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV8L002SNHZGG2CR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 1Вт; DFN1010-3W" 1.

0.0
RVQ040N05TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,3нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
121.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RVQ040N05TR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 4А; Idm: 16А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж