Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.161

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SQ2398ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
113.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ2398ES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 1,6А; Idm: 2,5А" 1.

0.0
SQ3426AEEV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
72.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3426AEEV-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 7А; Idm: 29А; 5Вт" 3000.

0.0
SQ3426EV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,3нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
113.83 
Доступность: 2038 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ3426EV-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 7А; Idm: 29А; 5Вт" 1.

0.0
SQ4050EY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусSO8 МонтажSMD
132.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4050EY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 19А; Idm: 75А; 6Вт" 2500.

0.0
SQ4850EY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSO8 МонтажSMD
240.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4850EY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6,9А; 6,8Вт; SO8" 5.

0.0
SQ7414CENW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
206.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ7414CENW-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 18А; Idm: 72А; 62Вт" 1.

0.0
SQA470EEJ-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,1нC КорпусPowerPAK® SC70
67.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQA470EEJ-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,25А; 13,6Вт; PowerPAK® SC70" 1.

0.0
SQD100N04-3M6L-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусTO252 МонтажSMD
196.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD100N04-3M6L-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 2000.

0.0
SQD25N15-52-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора34нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
505.93 
Доступность: 1971 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQD25N15-52_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 16А; 107Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SQD30N05-20L-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTO252 МонтажSMD
129.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD30N05-20L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 55В; 30А; Idm: 120А; 50Вт" 2000.

0.0
SQD40052EL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусTO252 МонтажSMD
84.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD40052EL_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 30А; Idm: 120А; 62Вт" 2000.

0.0
SQD50N04-4M5L-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора85нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
400.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD50N04-4M5L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; 136Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SQD50N05-11L-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора34,6нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
327.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD50N05-11L-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 32А; 75Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SQJ126EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора152нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
153.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ126EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 500А; Idm: 776А" 3000.

0.0
SQJ158EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
116.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ158EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13А; 45Вт; PowerPAK® SO8" 1.

0.0
SQJ164ELP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
91.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ164ELP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 75А; Idm: 130А" 3000.

0.0
SQJ170ELP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
87.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ170ELP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 63А; Idm: 66А; 136Вт" 3000.

0.0
SQJ402EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
207.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ402EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 32А; 83Вт; PowerPAK® SO8" 1.

0.0
SQJ422EP-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
124.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ422EP-T1_BE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 75А; Idm: 300А; 83Вт" 3000.

0.0
SQJ476EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
165.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ476EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 13А; 45Вт; PowerPAK® SO8" 1.

0.0
SQJ486EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
210.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ486EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 17А; 56Вт; PowerPAK® SO8" 1.

0.0
SQJ858AEP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
213.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ858AEP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 33А; 48Вт; PowerPAK® SO8" 1.

0.0
SQJ868EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
82.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ868EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 58А; Idm: 230А; 48Вт" 3000.

0.0
SQJA16EP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
143.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJA16EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 278А; Idm: 575А" 3000.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж