SQJA16EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 278А; Idm: 575А

SQJA16EP-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

170.36 
Оптовые цены:
Кол-во
3000+
Цена
170.36 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SQJA16EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 278А; Idm: 575А" 3000.

Артикул производителя
SQJA16EP-T1_GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
84нC
Код производителя
SQJA16EP-T1_GE3
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
500Вт
Сопротивление в открытом состоянии
6,5мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
278А
Ток стока в импульсном режиме
575А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России