Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.173

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SIHD9N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
335.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD9N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; Idm: 22А; 78Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SIHF530S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
129.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF530S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт" 1.

0.0
SIHF530STRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
196.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF530STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт" 1.

0.0
SIHF530STRR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
129.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF530STRR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт" 1.

0.0
SIHF540S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
211.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF540S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 20А; Idm: 110А; 150Вт" 1.

0.0
SIHF610S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,2нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF610S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 2,1А; Idm: 10А; 36Вт" 1.

0.0
SIHF620S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
133.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF620S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3,3А; Idm: 18А; 50Вт" 1.

0.0
SIHF620STRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
161.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF620STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3,3А; Idm: 18А; 50Вт" 1.

0.0
SIHF634STRR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
189.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF634STRR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 5,1А; Idm: 32А; 74Вт" 1.

0.0
SIHF640S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
248.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF640S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11А; Idm: 72А; 130Вт" 1.

0.0
SIHF644S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
205.53 
Доступность: 977 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIHF644S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 8,5А; Idm: 56А; 125Вт" 1.

0.0
SIHF644STRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
257.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF644STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 8,5А; Idm: 56А; 125Вт" 1.

0.0
SIHF730STRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
211.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF730STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 3,5А; Idm: 22А; 74Вт" 1.

0.0
SIHF740STRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
246.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF740STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт" 1.

0.0
SIHF830STRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
145.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF830STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,9А; Idm: 18А; 74Вт" 1.

0.0
SIHF840AS-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
199.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF840AS-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт" 1.

0.0
SIHF840S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
199.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF840S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт" 1.

0.0
SIHFBC30AS-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
208.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFBC30AS-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,3А; Idm: 14А; 74Вт" 1.

0.0
SIHFBF20S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
199.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFBF20S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт" 1.

0.0
SIHFBF20STRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
199.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFBF20STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж