SIHF610S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 2,1А; Idm: 10А; 36Вт

SIHF610S-GE3
138.22 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
100.45 ₽
88.37 ₽
79.31 ₽
74.02 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIHF610S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 2,1А; Idm: 10А; 36Вт" 1.

Артикул производителя
SIHF610S-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
8,2нC
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
200В
Обозначение производителя
SIHF610S-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
36Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
2,1А
Ток стока в импульсном режиме
10А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России